在浅槽中形成深槽以隔离半导体器件的自对准方法

摘要

在集成电路，特别是在用于射频应用的集成电路的制作过程中，一种用于隔离以上电路所含的半导体器件的浅槽和深槽的方法，该方法包括提供半导体衬底(10)；在衬底上任意形成第一绝缘层(14)；用第一掩模(16)形成至少一个浅槽(18)，浅槽扩展到衬底里；在形成至少一个浅槽的步骤之后，在所得到的结构上，形成预定厚度(2x)的第二绝缘层(20)；在第二绝缘层上，用第二掩模(22)形成至少一个开口(33)，第二掩模边缘(30)对准浅槽边缘(26)，浅槽的最大不对准度(+/－x)为预定厚度(2x)的一半，开口随着浅槽扩展到底部(18a)，由此，宽度等于预定厚度(2x)的隔离物(32)在浅槽中沿着其边缘形成；用第二绝缘层作为硬掩模，在开口中形成深槽(34)，深槽进一步扩展到衬底里，并与浅槽自对准。

主权项

1.在集成电路制作过程中，特别是射频使用的集成电路，为了隔离包括在集成电路中的半导体器件而形成浅槽和深槽的一种方法，其特征在于以下步骤：—提供半导体衬底(10)；—利用形成于衬底上的第一掩模(16)来形成至少一个浅槽(18)，该浅槽扩展到衬底里；—在形成至少一个浅槽的步骤之后，在所得到的结构上形成预定厚度(2x)的绝缘层(20)；—利用形成于绝缘层上的第二掩模(22)在绝缘层上形成至少一个开口(33)，第二掩模的边缘(30)对准浅槽边缘(26)，该浅槽的最大不对准度(+/-x)为绝缘层预定厚度(2x)的一半，该开口在浅槽内扩展到其底部(18a)，由此，一个宽度等于预定厚度(2x)的隔离物(32)在浅槽里沿着其边缘形成；和—在所述开口处通过利用作为硬掩模的绝缘层形成深槽(34)，深槽进一步扩展到衬底里，并与浅槽自对准。