| 发明名称 | 半导体装置及其工作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置包括具有基底部分、栅极、源极和漏极的MIS晶体管；产生加于MIS晶体管基底部分的偏压的基底偏压产生电路；设置于MIS晶体管的基底部分和基底偏压产生电路之间、且两端电位在MIS晶体管工作和非工作时发生变化的电阻。MIS晶体管的基底偏压在工作时变浅，而非工作时变深，以自调整形式发生变化。因而，在工作时阈值降低、动作高速，而在非工作时，基底偏压变深而降低截止电流。可构成高速且功耗低的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1099130C | 申请公布日期 | 2003.01.15 |
| 申请号 | CN94118396.3 | 申请日期 | 1994.11.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 平濑顺司;赤松宽范;赤松晋;堀隆 |
| 分类号 | H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：具有基底部分、栅极、源和漏的第1MIS晶体管；用于产生加于上述第1MIS晶体管的基底部分的基底偏压的基底偏压产生电路；设置于上述第1MIS晶体管的基底部分和基底偏压产生电路之间且在第1MIS晶体管工作和非工作时两端电位变化的电阻，其中，上述第1MIS晶体管在工作时和非工作时自调整式地改变基底偏压。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||