| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之底材包含一氮化矽层。3.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之矽酸盐层采用一磁控溅镀法所形成。4.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之矽酸盐层为一铪矽酸盐层。5.如申请专利范围第4项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之矽酸盐混合物层为一铪矽酸盐混合物层。6.如申请专利范围第5项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之铪矽酸盐混合物层包含二氧化铪、二氧化矽及氮化矽。7.如申请专利范围第5项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之铪矽酸盐混合物层之化学式为(HfO2)X(SiO2)Y(SiN)1-X-Y。8.如申请专利范围第7项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之X大于0。9.如申请专利范围第7项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之Y大于0。10.如申请专利范围第7项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之X加上Y之一和小于1。11.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之矽酸盐层为一锆矽酸盐层。12.如申请专利范围第11项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之矽酸盐混合物层为一锆矽酸盐混合物层。13.如申请专利范围第12项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之锆矽酸盐混合物层包含二氧化锆、二氧化矽及氮化矽。14.如申请专利范围第12项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之锆矽酸盐混合物层之化学式为(ZrO2)X(SiO2)Y(SiN)1-X-Y。15.如申请专利范围第14项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之X大于0。16.如申请专利范围第14项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之Y大于0。17.如申请专利范围第14项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之X加上Y之一和小于1。18.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之快速加热回火制程的一制程温度温度大约为600至700℃。19.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之快速加热回火制程的一制程时间时间大约为30至50秒。20.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之快速加热回火制程在一充满一氮气的环境下进行。21.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之快速加热回火制程在一充满一氨气的环境下进行。22.如申请专利范围第1项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之底材需经一清洗制程。23.如申请专利范围第22项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之清洗制程采用一氢氟酸。24.一种制作一矽酸盐介电层之方法,其中该方法包含:提供一晶圆,该晶圆包含一底材;形成多数个场氧化区于该底材内;利用一氢氟酸清洗该底材;进行一第一快速加热回火制程以在该底材上形成一氮化矽层,其中上述之第一快速加热回火制程系在充满一气体之一环境下进行;形成一铪矽酸盐层于该氮化矽层与该多数个场氧化区上;进行一第二快速加热回火制程以使该铪矽酸盐层变成一铪矽酸盐混合物层;及形成一导体层于该铪矽酸盐混合物层上。25.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之气体为一氨气。26.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之气体为一氮气。27.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之铪矽酸盐层采用一磁控溅镀法所形成。28.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之铪矽酸盐混合物层包含二氧化铪、二氧化矽及氮化矽。29.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之铪矽酸盐混合物层之化学式为(HfO2)X(SiO2)Y(SiN)1-X-Y。30.如申请专利范围第29项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之X大于0。31.如申请专利范围第29项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之Y大于0。32.如申请专利范围第29项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之X加上Y之一和小于1。33.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之第一快速加热回火制程的一制程温度大约为700至800℃。34.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之第二快速加热回火制程的一制程温度大约为600至700℃。35.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之第二快速加热回火制程的一制程时间大约为30至50秒。36.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之第二快速加热回火制程在一充满一氮气的环境下进行。37.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之第二快速加热回火制程在一充满一氨气的环境下进行。38.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之导体层之一材质为一氮化钽。39.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之导体层之一材质为一氮化钛。40.如申请专利范围第38项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之铪矽酸盐混合物层用来作为一内层介电层。41.如申请专利范围第24项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之导体层之一材质为一矽层。42.如申请专利范围第41项之制作该矽酸盐介电层的方法,其中上述之铪矽酸盐混合物层用来作为一闸极介电层。图式简单说明:第一图为在晶圆底材上形成二氧化铪层之示意图;第二图为在二氧化铪层上形成一导体层之示意图;第三图为在二氧化铪层与底材之介面形成二氧化矽层之示意图;第四图为在底材上形成多数个场氧化区之示意图;第五图为在晶圆底材及多数个场氧化区上形成矽酸盐层之示意图;第六图为在矽酸盐混合层上形成一导体层之示意图;及第七图为移除部分之导体层与矽酸盐混合层以露出部分之氮化矽层之示意图。 |
