发明名称 具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构及布线方法
摘要 一种具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构及布线方法,系把在基底板上出高弧金线所及的距离之一些重要之关键讯号焊垫,拉进到中孤金线所及的距离,并只要在紧邻重要焊垫旁配置有参考焊垫,例如:在两个重要焊垫之间配置一个参考焊垫,以降低杂讯干扰,而且紧邻在这些重要之关键讯号焊垫所相对应的锡球(ball pad)附近放置相对应的挂名锡球(dummy ball pad)以增加关键讯号走线(trace)的空间。
申请公布号 TW517358 申请公布日期 2003.01.11
申请号 TW090128178 申请日期 2001.11.14
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 张乃舜
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,该晶片组至少包括一晶粒以及一基底板,该基底板至少包括一正面布线层以及一背面布线层,该晶粒配置于该正面布线层上,该布线架构至少包括:一长弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一普通讯号;一普通讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该长弧金线,并接续传送该普通讯号;一第一中弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一第一关键讯号,该长弧金线的长度大于该第一中弧金线的长度;以及一第一关键讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第一中弧金线,并接续传送该第一关键讯号,该普通讯号焊垫与该晶粒之距离系大于该第一关键讯号焊垫与该晶粒之距离。2.如申请专利范围第1项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第二中弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一第二关键讯号,该长弧金线的长度大于该第二中弧金线的长度;一第二关键讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第二中弧金线,并接续传送该第二关键讯号,该普通讯号焊垫与该晶粒之距离系大于该第二关键讯号焊垫与该晶粒之距离;一第三中弧金线,耦接至该晶粒;以及一防干扰焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第三中弧金线,该防干扰焊垫紧邻且位于该第一关键讯号焊垫与该第二关键讯号焊垫之间,该防干扰焊垫连接至一稳定电压。3.如申请专利范围第2项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该第一关键讯号以及该第二关键讯号属于一关键讯号群组,该关键讯号群组包括:一位址选通讯号、一资料选通讯号以及一时脉讯号。4.如申请专利范围第2项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该稳定电压系为一接地电压或一电源电压。5.如申请专利范围第1项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第一贯孔,用以贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;一关键讯号走线,属于该正面布线层,用以连接该第一关键讯号焊垫以及该第一贯孔;一第一锡球,配置于该背面布线层上,该第一锡球耦接至该第一贯孔,用以作为该晶片组之该第一关键讯号的讯号接脚;以及一挂名锡球,配置于该背面布线层上,该挂名锡球系紧邻该第一锡球,且不连接至任何贯孔,以使该关键讯号走线与其他讯号走线之最小距离大于其他讯号走线之最小距离。6.如申请专利范围第5项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第二贯孔,用以贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;一普通讯号走线,属于该正面布线层,用以连接该普通讯号焊垫以及该第二贯孔;以及一第二锡球,配置于该背面布线层上,该第二锡球耦接至该第二贯孔,用以作为该晶片组之该普通讯号的讯号接脚,其中该关键讯号走线与其他讯号走线之最小距离,大于该普通讯号走线之最小距离。7.如申请专利范围第5项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该挂名锡球系定义为该晶片组之接地电压之接脚。8.如申请专利范围第1项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第二中弧金线,耦接至该晶粒;以及一防干扰焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第二中弧金线,该防干扰焊垫系紧邻该第一关键讯号焊垫,且该防干扰焊垫连接至一稳定电压。9.一种具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,该晶片组至少包括一晶粒以及一基底板,该基底板至少包括一正面布线层以及一背面布线层,该晶粒配置于该正面布线层上,该布线架构至少包括:一长弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一普通讯号;一普通讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该长弧金线,并接续传送该普通讯号;一第一中弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一第一关键讯号,该长弧金线的长度大于该第一中弧金线的长度;一第一关键讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第一中弧金线,并接续传送该第一关键讯号,该普通讯号焊垫与该晶粒之距离系大于该第一关键讯号焊垫与该晶粒之距离;一第二中弧金线,耦接至该晶粒;一防干扰焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第二中弧金线,该防干扰焊垫系紧邻该第一关键讯号焊垫,该防干扰焊垫连接至一稳定电压;一第一贯孔,用以贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;一关键讯号走线,属于该正面布线层,用以连接该第一关键讯号焊垫以及该第一贯孔;一第一锡球,配置于该背面布线层上,该第一锡球耦接至该第一贯孔,用以作为该晶片组之该第一关键讯号的讯号接脚;一第二贯孔,用以贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;一普通讯号走线,属于该正面布线层,用以连接该普通讯号焊垫以及该第二贯孔;一第二锡球,配置于该背面布线层上,该第二锡球耦接至该第二贯孔,用以作为该晶片组之该普通讯号的讯号接脚;以及一挂名锡球,配置于该背面布线层上,该挂名锡球系紧邻该第一锡球,且不连接至任何贯孔,以使该关键讯号走线与其他讯号走线之最小距离大于该普通讯号走线与其他讯号走线之最小距离。10.如申请专利范围第9项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第三中弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一第二关键讯号,该长弧金线的长度大于该第三中弧金线的长度;以及一第二关键讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第三中弧金线,并接续传送该第二关键讯号,该普通讯号焊垫与该晶粒之距离系大于该第二关键讯号焊垫与该晶粒之距离;其中该防干扰焊垫紧邻且位于该第一关键讯号焊垫与该第二关键讯号焊垫之间。11.如申请专利范围第9项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该第一关键讯号以及该第二关键讯号属于一关键讯号群组,该关键讯号群组包括:一位址选通讯号、一资料选通讯号以及一时脉讯号。12.如申请专利范围第9项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该稳定电压系为一接地电压或一电源电压。13.如申请专利范围第9项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该挂名锡球系定义为该晶片组之接地电压之接脚。14.一种具有球格阵列式封装之晶片组之布线方法,该晶片组至少包括一晶粒以及一基底板,该基底板至少包括一正面布线层以及一背面布线层,该晶粒配置于该正面布线层上,该布线方法包括下列步骤:提供一普通讯号焊垫,该普通讯号焊垫属于该正面布线层;以一长弧金线,连接该晶粒以及该普通讯号焊垫,用以传送一普通讯号;提供一第一关键讯号焊垫,该第一关键讯号焊垫属于该正面布线层,该普通讯号焊垫与该晶粒之距离系大于该第一关键讯号焊垫与该晶粒之距离;以及以一第一中弧金线,连接该晶粒以及该第一关键讯号焊垫,用以传送一第一关键讯号,该长弧金线的长度大于该第一中弧金线的长度。15.如申请专利范围第14项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线方法,更包括下列步骤:提供一第二关键讯号焊垫,该第二关键讯号焊垫属于该正面布线层,该普通讯号焊垫与该晶粒之距离系大于该第二关键讯号焊垫与该晶粒之距离;以一第二中弧金线,连接该晶粒以及该第二关键讯号焊垫,用以传送一第二关键讯号,该长弧金线的长度大于该第二中弧金线的长度;提供一防干扰焊垫,该防干扰焊垫属于该正面布线层,该防干扰焊垫紧邻且位于该第一关键讯号焊垫与该第二关键讯号焊垫之间;连接该防干扰焊垫至一稳定电压;以及以一第三中弧金线,连接该晶粒以及该防干扰焊垫。16.如申请专利范围第14项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线方法,更包括下列步骤:以一第一贯孔,贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;于该正面布线层上,以一关键讯号走线,连接该第一关键讯号焊垫以及该第一贯孔;提供一第一锡球,配置于该背面布线层上,用以作为该晶片组之该第一关键讯号的讯号接脚;连接该第一锡球与该第一贯孔;以一第二贯孔,贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;于该正面布线层上,以一普通讯号走线,连接该普通讯号焊垫以及该第二贯孔;提供一第二锡球,配置于该背面布线层上,用以作为该晶片组之该普通讯号的讯号接脚;连接该第二锡球与该第二贯孔;以及提供一挂名锡球,配置于该背面布线层上,该挂名锡球系紧邻该第一锡球,且不连接至任何贯孔,以使该关键讯号走线与其他讯号走线之最小距离大于该普通讯号走线与其他讯号走线之最小距离。17.如申请专利范围第14项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线方法,更包指下列步骤:提供一防干扰焊垫,该防干扰焊垫属于该正面布线层,该防干扰焊垫系紧邻该第一关键讯号焊垫;连接该防干扰焊垫至一稳定电压;以及以一第二中弧金线,连接该晶粒以及该防干扰焊垫。18.一种具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,该晶片组至少包括一晶粒以及一基底板,该基底板至少包括一正面布线层以及一背面布线层,该晶粒配置于该正面布线层上,该布线架构至少包括:一第一中弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一第一关键讯号;一第一关键讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第一中弧金线,并接续传送该第一关键讯号;一第二中弧金线,耦接至该晶粒;以及一防干扰焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第二中弧金线,该防干扰焊垫紧邻且位于该第一关键讯号焊垫之旁侧,该防干扰焊垫连接至一稳定电压。19.如申请专利范围第18项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第三中弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一第二关键讯号;以及一第二关键讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该第二中弧金线,并接续传送该第二关键讯号;20.如申请专利范围第19项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一长弧金线,耦接至该晶粒,用以传送一普通讯号;以及一普通讯号焊垫,属于该正面布线层,用以承接该长弧金线,并接续传送该普通讯号,其中该普通讯号焊垫与该晶粒之距离,系大于该第一关键讯号焊垫与该晶粒之距离、且大于该第二关键讯号焊垫与该晶粒之距离、亦大于该防干扰焊垫与该晶粒之距离。21.如申请专利范围第20项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第二贯孔,用以贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;一普通讯号走线,属于该正面布线层,用以连接该普通讯号焊垫以及该第二贯孔;以及一第二锡球,配置于该背面布线层上,该第二锡球耦接至该第二贯孔,用以作为该晶片组之该普通讯号的讯号接脚。22.如申请专利范围第19项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该第一关键讯号以及该第二关键讯号属于一关键讯号群组,该关键讯号群组包括:一位址选通讯号、一资料选通讯号以及一时脉讯号。23.如申请专利范围第18项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该稳定电压系为一接地电压或一电源电压。24.如申请专利范围第18项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,更包括:一第一贯孔,用以贯穿该基底板,以电性连接该正面布线层以及该背面布线层;一关键讯号走线,属于该正面布线层,用以连接该第一关键讯号焊垫以及该第一贯孔;一第一锡球,配置于该背面布线层上,该第一锡球耦接至该第一贯孔,用以作为该晶片组之该第一关键讯号的讯号接脚;以及一挂名锡球,配置于该背面布线层上,该挂名锡球系紧邻该第一锡球,且不连接至任何贯孔,以使该关键讯号走线与其他讯号走线之最小距离大于其他讯号走线之最小距离。25.如申请专利范围第24项所述之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构,其中该挂名锡球系定义为该晶片组之接地电压之接脚。图式简单说明:第1图绘示的是习知之具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构示意图;以及第2图绘示的是本发明之较佳实施例的一种具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构示意图。第3图绘示的是本发明之另一较佳实施例的一种具有球格阵列式封装之晶片组之布线架构示意图。
地址 台北县新店巿中正路五三三号八楼