| 主权项 |
1.一种半导体封装用之导线架,其中包括:一由铜、铜合金或铁-镍合金所制成之底部金属层;一形成于底部金属层的至少一表面上和由镍或镍合金所制成的底部电镀层;一形成底部电镀层上,且由钯或钯合金制成之厚度为0.00025-0.1m(0.1-4微寸)之中间电镀层;以及,一形成中间电镀层内,且由银或银合金所制成之厚度为0.05-0.75m(2-30微寸)之外部电镀层。2.如申请专利范围第1项所述之导线架,其中镍合金系由80-99.999wt%的镍和0.001-20wt%的磷组成;钯合金系由80-99.999wt%的钯和0.001-20w%的由金、银、钌、镍和磷至少其中之一来组成;银合金系由80-99.999wt%的银和0.001-20wt%的由钯、金、钌、镍和磷至少其中之一来组成。3.一种半导体导线架,其中包括:一由铜、铜合金或铁-镍合金所制成之底部金属层;一形成于底部金属层的至少一表面上和由镍或镍合金所制成的底部电镀层;一形成底部电镀层上,且由钯或钯合金制成之厚度为0.00025-0.1m(0.1-4微寸)之中间电镀层;以及,一形成中间电镀层内,且由银或银合金所制成之厚度为0.05-0.75m(2-30微寸)之外部电镀层;其中,该中间电镀层系由将调变式电流施于电镀槽内而形成。4.如申请专利范围第3项所述之导线架,其中,当底部电镀层形成时,施于含有镍或镍合金的电镀液中之调变式电流系具有频带100-20000Hz,负载系数5-80%,且平均电流密度为15-35A/dm2;当中间电镀层形成时,施于含有钯或钯合金的电镀液中之调变式电流系具有频带100-20000Hz,负载系数5-45%,且平均电流密度为0.1-3A/dm2;当外部电镀层形成时,施于含有银或银合金的电镀液中之调变式电流系具有平均电流密度为1-5A/dm2。5.如申请专利范围第3项所述之导线架,其中镍合金系由80-99.999wt%的镍和0.001-20wt%的磷组成;钯合金系由80-99.999wt%的钯和0.001-20wt%的由金、银、钌、镍和磷至少其中之一来组成;银合金系由80-99.999wt%的银和0.001-20wt%的由钯、金、钌、镍和磷至少其中之一来组成。6.一种制造半导体封装用的导线架之方法,其包括下列步骤:a)提供一底部金属层;b)预处理底部金属层;c)于该底部金属层上形成一由镍或镍合金所制成的底部电镀层;d)藉由将上述申请专利范围第3项所得之结构浸没入一含有钯或钯合金之电镀槽内,并施以调变电流(频带为1000-2000Hz,负载系数duty cycle为5-45%,对电镀槽而言,平均电流密度为0.1-3A/dm2);以及,e)于中间电镀层上形成一由银或银合金制成的外部电镀层。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,当进行底部电镀层形成的步骤时,施于含有镍或镍合金的电镀液中之调变式电流系具有频带100-20000Hz,负载系数5-80%,且平均电流密度为15-35A/dm2;当进行中间电镀层形成之步骤时,施于含有钯或钯合金的电镀液中之调变式电流系具有频带100-20000Hz,负载系数5-45%,且平均电流密度为0.1-3A/dm2;当进行外部电镀层形成之步骤时,施于含有银或银合金的电镀液中之调变式电流系具有平均电流密度为1-5A/dm2。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中镍合金系由80-99.999Wt%的镍和0.001-20wt%的磷组成,并依上述申请专利范围第6项中步骤(c)于底部金属层上形成一由镍或镍合金所制成的底部电镀层;钯合金系由80-99.999wt%的钯和0.001-20wt%的由金、银、钌、镍和磷至少其中之一组成,并依上述申请专利范围第6项中步骤(d)将导线架结构浸没入一含有钯或钯合金之电镀槽内,并施以调变电流;又,前述银合金系由80-99.999wt%的银和0.001-20wt%的由钯、金、钌、镍和磷至少其中之一组成,并依上述申请专利范围第6项中步骤(e)于中间电镀层上形成一由银或银合金制成的外部电镀层者。图式简单说明:第1图至第4图系为习知半导体导线架的横剖面图。第5图系本发明半导体导线架之横剖面图。第6A图至第6E图为本发明半导体导线架制作时,应用于电镀过程中之调变电流的波形图。第7图系本发明导线架之平面图。 |
