| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,适用于一具有源极/汲极之半导体基底上制造上述电容器,而上述制造方法包括下列步骤:在上述半导体基底上方形成一第一绝缘层;在上述第一绝缘层内形成一与上述源极/汲极相连通之导电插塞;在上述第一绝缘层和上述第一导电插塞上形成一介电系数约低于2.8之第二绝缘层;在上述第二绝缘层内形成一与上述导电插塞相连通之第二接触窗;在上述第二接触窗内顺应性地形成一导电层,其与上述导电插塞相连接而共同形成下电极;在上述第二绝缘层和上述下电极上形成一介电层;以及在上述介电层上形成上述上电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二绝缘层系为有机化合物或非晶系碳。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述有机化合物系为芳香族有机化合物。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述芳香族有机化合物系为非氟化聚芳烯醚化合物(non-fluorinated poly acrylene ether)或非氟化芳香族碳氢化合物(non-fluorinated aromatic hydrocarbon)。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中更包括于上述第一绝缘层表面上形成一蚀刻终止层。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述蚀刻终止层系为氮化矽。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在形成上述第二绝缘层前,更包括在第一绝缘层内形成与上述开关元件相连通之位元线。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述下电极和上述上电极系为导电掺杂之复晶矽。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述介电层系一择自氧化矽/氮化矽/氧化矽层、氧化钽、氧化矽和氮化矽所组成之族中之物质所构成。10.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,适用于一具有源极/汲极之半导体基底上制造上述电容器,而上述制造方法包括下列步骤:在上述半导体基底上方形成一第一绝缘层;在上述第一绝缘层内形成一与上述源极/汲极相连通之导电垫;在上述第一绝缘层和上述导电垫上形成第二绝缘层;在上述第二绝缘层内形成一与上述导电垫相连通之导电插塞;在上述导电插塞和上述第二绝缘层上形成介电系数约低于2.8之第三绝缘层;在上述第三绝缘层内形成一与上述导电插塞相连通之一接触窗;在上述第三绝缘层上和上述接触窗内顺应性地形成一导电层;形成一保护层在上述导电层上,并填满上述接触窗;施行一平坦化制程,以移除上述导电层和上述保护层在上述第三绝缘层上之部分;移除上述保护层;在上述第三绝缘层和上述下电极上形成一介电层;以及在上述介电层上形成上述上电极。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述平坦化制程为化学机械研磨法。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述第三绝缘层系为有机化合物或非晶系碳。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述有机化合物系为芳香族有机化合物。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述芳香族有机化合物系为非氟化聚芳烯醚化合物(non-fluorinatedpoly acrylene ether)或非氟化芳香族碳氢化合物(non-fluorinated aromatic hydrocarbon)。15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中更包括于上述第一绝缘层表面上形成一蚀刻终止层。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述蚀刻终止层系为氮化矽。17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中在形成上述第二绝缘层前,更包括在第一绝缘层内形成与上述开关元件相连通之位元线。18.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述下电极和上述上电极系为导电掺杂之复晶矽。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述介电层系一择自氧化矽/氮化矽/氧化矽层、氧化钽、氧化矽和氮化矽所组成之族中之物质所构成。图式简单说明:第1图系一般动态随机存取记忆单元的电路示意图;第2图至第10图均为剖面示意图,用以说明依据本发明的一较佳实施例的制造流程。 |
