| 主权项 |
1.一种焊料凸块(Solder Bump)之结构,至少包括:一第一焊料层;以及一第二焊料层,位于该第一焊料层之上,其中该第二焊料层之铅含量小于该第一焊料层之铅含量,且该第二焊料层相对于该第一焊料层之组成为低熔点焊料。2.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块之结构,其中该第一焊料层相对于该第二焊料层之组成为高熔点焊料。3.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块之结构,其中该第一焊料层之回焊最高温度约为320℃至360℃。4.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块之结构,其中该第一焊料层之形状为圆柱体。5.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块之结构,其中该第二焊料层之回焊最高温度约为200℃至220℃。6.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块之结构,其中该第二焊料层在回焊(Reflow)前之形状为圆柱体。7.如申请专利范围第1项所述之焊料凸块之结构,其中该第二焊料层在回焊后之形状为半球形。8.一种覆晶(Flip Chip)封装之制程,至少包括:形成一焊垫于一矽晶圆与一护层间;形成一第一焊料层于该焊垫之上;形成一第二焊料层于该第一焊料层之上;第一次回焊该第二焊料层;倒转该矽晶圆;将该矽晶圆覆盖于一底材之上;第二次回焊该第二焊料层,使该第二焊料层熔化后与该底材相黏接;以及填胶于该护层、该第一焊料层、该第二焊料层、以及该底材间。9.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第一焊料层相对于该第二焊料层之组成为高熔点焊料。10.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第一焊料层之回焊最高温度约为320℃至360℃。11.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第一焊料层之形状为圆柱体。12.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第二焊料层相对于该第一焊料层之组成为低熔点焊料。13.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第二焊料层之回焊最高温度约为200℃至220℃。14.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第二焊料层在回焊前之形状为圆柱体。15.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第二焊料层在回焊后之形状为半球形。16.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第一焊料层系以电镀法形成。17.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第一焊料层系以印刷法形成。18.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第二焊料层系以电镀法形成。19.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第二焊料层系以印刷法形成。20.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第一次回焊该第二焊料层之步骤系在一回焊温度约220℃下进行。21.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该第二次回焊该第二焊料层之步骤系在该回焊温度约220℃下进行。22.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该底材系以双马来醯亚胺-三氮六环(Bismaleimide-Triazine;BT)树脂制成。23.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之制程,其中该填胶步骤所使用之一液态胶系以环氧树脂制成。图式简单说明:第1A图至第1C图为习知之焊料凸块之结构及其制程之示意图;第2A图至第2C图为习知之覆晶封装技术之流程示意图;第3A图至第3C图为本发明之一较佳实施例之焊料凸块之结构及其制程之示意图;第4A图至第4C图为本发明之一较佳实施例之覆晶封装技术之流程示意图;以及第5A图至第5F图为习知与本发明之一较佳实施例之焊料凸块之高度以及焊料凸块间之宽度比较图。 |
