| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体平面显示器之制造方法,包括:(a)提供一基板,于上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层、及一半导体层;(b)定义上述半导体层、第一绝缘层、及第一导电层之图形,以形成一扫描线、一闸极垫、与一闸极,上述闸极垫系形成于上述扫描线之一端;(c)形成一保护层,覆盖于上述扫描线、闸极垫、闸极、与基板上;(d)定义上述保护层之图形,于上述闸极上形成一第一开口和一第二开口,且于上述闸极垫上形成一第三开口,使上述半导体层暴露于上述第一、第二、及第三开口中;(e)依序形成一掺杂矽层及一第二导电层于上述基板上;(f)定义上述第二导电层及上述掺杂矽层之图案,以形成一信号线,并于上述闸极上方形成一源极和一汲极,上述源极与汲极之间定义为一通道,上述源极与汲极之掺杂矽层分别透过上述第一和第二开口而与上述闸极之半导体层接触,且上述信号线系垂直于上述扫描线;(g)定义上述闸极垫中半导体层及第一绝缘层之图案,移除上述第三开口中之上述半导体层及第一绝缘层,使上述第一导电层暴露于上述第三开口中;(h)形成一透明电极于上述基板上,且覆盖上述源极、汲极、与上述闸极垫;以及(i)定义上述透明电极,以形成一画素电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,于步骤(i)中,上述透明电极更形成在上述信号线之上,上述透明电极经由上述第三开口与上述闸极垫之第一导电层接触,且上述画素电极层系耦接上述汲极。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,于步骤(b)中,在上述半导体层上更形成一第二绝缘层,以避免上述半导体层暴露于空气中而氧化。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,于步骤(d)中,上述第一、第二、以及第三开口更贯穿上述第二绝缘层,使上述半导体层暴露于上述第一、第二、以及第三开口。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述源极与汲极之第二导电层各具有一侧壁暴露于上述通道中,且上述透明电极系覆盖上述通道中第二导电层之上述侧壁。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述源极与汲极之第二导电层各具有一侧壁暴露于上述通道中,且上述透明电极不覆盖上述源极与汲极中第二导电层之上述侧壁。7.一种薄膜电晶体平面显示器之制造方法,包括:(a)提供一基板,于上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层、以及一半导体层;(b)定义上述半导体层、上述第一绝缘层、及上述第一导电层之图形,以形成一扫描线、一闸极垫、以及一闸极,上述闸极垫系形成于上述扫描线之一端;(c)形成一保护层,覆盖于上述扫描线、闸极垫、闸极与基板上;(d)定义上述保护层之图形,于上述闸极上形成一第一开口和一第二开口,且于上述闸极垫上方形成一第三开口;(e)依序形成一掺杂矽层及一第二导电层于上述基板上;(f)定义上述第二导电层及上述掺杂矽层之图案,于上述闸极上方形成一岛状结构,且上述掺杂矽层分别透过上述第一和第二开口而与上述闸极之半导体层接触;(g)定义上述闸极垫中半导体层以及第一绝缘层之图案,使上述第一导电层暴露于上述第三开口中;(h)形成一透明电极于上述基板上,且覆盖上述第二导电层;以及(i)定义上述透明电极、上述第二导电层、及上述掺杂矽层,于上述岛状结构中形成一源极和一汲极,上述源极与汲极之间定义为一通道,上述通道位于上述闸极上方,上述透明电极更形成一画素电极,且耦接上述汲极。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,于步骤(a)中更形成一第二绝缘层,于步骤(b)中更定义上述第二绝缘层之图案,且于步骤(d)定义上述保护层图案时,使上述半导体层表面暴露于上述第一、第二、与第三开口中。9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,于步骤(f)中,上述第二导电层更形成一信号线,且于步骤(j)中,上述透明电极更形成一虚拟信号线层覆盖上述信号线。10.一种薄膜电晶体液晶显示器之制造方法,包括:(a)提供一基板,依序形成一第一导电层、一第一绝缘层、及一半导体层于上述基板上;(b)定义上述半导体层、上述第一绝缘层、及上述第一导电层之图案,以形成一扫描线、一闸极垫、与一闸极,上述闸极垫系形成于上述扫描线之一端;(c)形成一保护层,覆盖于上述扫描线、闸极垫、闸极、与基板上;(d)定义上述保护层之图案,于上述闸极上形成一第一开口和一第二开口,且于上述闸极垫上形成一第三开口;(e)形成一第二导电层,定义上述第二导电层之图案,于上述保护层上形成一信号线,上述信号线系垂直上述扫描线;(f)依序形成一掺杂矽层及一透明电极于上述讯号线与上述保护层上,且上述掺杂矽层经由上述第一和第二开口与上述闸极之半导体层连接;(g)定义上述透明电极及上述掺杂矽层,于上述闸极上方定义形成一源极与一汲极,上述源极与汲极之间定义为一通道,上述透明电极更形成一画素电极,上述画素电极系与上述汲极相连接,且上述源极系与上述信号线电性连接;以及(h)定义蚀刻上述闸极垫中之半导体层及第一绝缘层,使上述第一导电层暴露于上述第三开口中。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,更包含以下步骤:于步骤(a)中更形成一第二绝缘层;于步骤(b)中定义上述第二绝缘层之图案;于步骤(d)定义上述保护层图案时,使上述半导体层表面暴露于上述第一、第二、与第三开口中;以及于步骤(h)中,蚀刻上述闸极垫中之第二绝缘层、半导体层、及第一绝缘层,使上述第一导电层暴露于上述第三开口中。12.一种薄膜电晶体平面显示器之制造方法,包括:(a)提供一基板,依序形成一第一导电层、一第一绝缘层、及一半导体层于上述基板上;(b)定义上述半导体层、上述第一绝缘层、及上述第一导电层之图案,以形成一扫描线、一闸极垫、与一闸极,上述闸极垫系形成于上述扫描线之一端;(c)于上述基板上依序形成一保护层与一第二导电层,并覆盖上述闸极垫与闸极;(d)定义上述第二导电层及上述保护层之图案,于基板上形成一信号线,于上述闸极上形成一第一开口和一第二开口,于上述闸极垫上形成一第三开口;(e)依序形成一掺杂矽层和一透明电极于上述信号线、上述闸极和上述基板上,且上述掺杂矽层经由上述第一开口以及上述第二开口与上述半导体层接触;以及(f)定义上述透明电极、上述掺杂层以及上述第二导电层之图案,于上述闸极上方形成一汲极与一源极,上述汲极与上述源极之间定义为一通道使上述保护层暴露在上述通道中,上述透明电极更形成一画素电极,且上述画素电极系与上述汲极相连接。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,更包含一步骤(g)定义蚀刻上述闸极垫之半导体层及第一绝缘层,以露出上述第一导电层。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,更包含以下步骤:于步骤(a)中更形成一第二绝缘层;于步骤(b)中定义上述第二绝缘层之图案;于步骤(d)定义上述保护层图案时,使上述半导体层表面暴露于上述第一、第二、与第三开口中;以及于步骤(g)中,蚀刻上述闸极垫中之第二绝缘层、半导体层、及第一绝缘层,使上述第一导电层暴露于上述第三开口中。图式简单说明:第1A-1D图显示平面显示器中薄膜电晶体之传统制造流程剖面图;第2A-2D图系显示本发明第一实施例之制造流程上视图;第3A-3D图系显示本发明第一实施例之制造流程剖面图;第4A-4D图系显示本发明第二实施例之制造流程剖面图;第5A-5D图系显示本发明第三实施例之制造流程上视图;第6A-6D图系显示本发明第三实施例之制造流程剖面图;第7A-7D图系显示本发明第四实施例之制造流程上视图;第8A-8D图系显示本发明第四实施例之制造流程剖面图;第9A-9C图系显示本发明第五实施例之制造流程上视图;及第10A-10C图系显示本发明第五实施例之制造流程剖面图。 |
