| 主权项 |
1.一种氮化物发光二极体,至少包括:一基板;一磊晶结构,该磊晶结构之一侧与该基板之一侧相接,且该磊晶结构上具有复数个氮化III族化合物磊晶半导体层,当通入电流之后产生光,该磊晶结构之另一侧并具有一第一欧姆接触金属电极;以及一磁性金属层位于该基板上,用以在一电磁波感应加热步骤中可活化该些氮化III族化合物磊晶半导体层。2.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之基板之材质可选自于蓝宝石(Sapphire)、氮化矽(SiC)、砷化镓(GaAs)、或矽所组成之一族群。3.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磁性金属层之材质可选自于包含铁(Fe)金属、钴(Co)金属及其合金之材料所组成之一族群。4.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磁性金属层为一第二欧姆接触金属电极,该基板具高掺杂特性与高导电特性,且该磁性金属层与该基板具有低金属-半导体接触电阻。5.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磁性金属层位于该基板之另一侧。6.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磊晶结构包括一第一电性半导体层,该第一电性半导体层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-yN;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。7.如申请专利范围第6项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磊晶结构之该另一侧具有一凹槽,藉以暴露出该第一电性半导体层之一部分表面,且一第二欧姆接触金层电极位于该第一电性半导体层之该部分表面上。8.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磊晶结构包括一缓冲层,该缓冲层之材质系可选自于由氮化铝(AlN)与氮化镓(GaN)所组成之一族群。9.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磊晶结构包括一第一电性夹层,该第一电性夹层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-y N;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。10.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磊晶结构包括一主动层,该主动层之材质系可选自于含氮化铝镓铟((AlxGa1-x)y In1-yN;0≦x≦1;0≦y≦1)材料双异质与量子井结构所组成之一族群。11.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磊晶结构包括一第二电性夹层,该第二电性夹层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-y N;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。12.如申请专利范围第1项所述之氮化物发光二极体,其中上述之磊晶结构包括一第二电性接触层,该第二电性接触层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x )yIn1-y N;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。13.一种氮化物发光二极体之制造方法,至少包括:提供一基板;提供一磊晶结构,该磊晶结构之一侧与该基板之一侧相接,且该磊晶结构上具有复数个氮化III族化合物磊晶半导体层,当通入电流之后产生光;形成一第一欧姆接触金属电极于该磊晶结构之另一侧;以及提供一磁性金属层,用以在一电磁波感应加热步骤中可活化该些氮化III族化合物磊晶半导体层。14.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之基板之材质可选自于蓝宝石、氮化矽、砷化镓、或矽所组成之一族群。15.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磁性金属层之形成方法系可选自于由热蒸着、电子束蒸镀、离子溅镀、与电镀所组成之一族群。16.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磁性金属层之材质可选自于包含铁金属、钴金属及其合金之材料所组成之一族群。17.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磁性金属层为一第二欧姆接触金属电极,该基板具高掺杂特性与高导电特性,且该磁性金属层与该基板具有低金属-半导体接触电阻。18.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磁性金属层位于该基板之另一侧。19.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磊晶结构包括一第一电性半导体层,该第一电性半导体层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-yN;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。20.如申请专利范围第19项所述之氮化物发光二极体之制造方法,更包括形成一凹槽于该磊晶结构之该另一侧,藉以暴露出该第一电性半导体层之一部分表面,且形成一第二欧姆接触金属电极于该第一电性半导体层之该部分表面上。21.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磊晶结构包括一缓冲层,该缓冲层之材质系可选自于由氮化铝(AlN)与氮化镓(GaN)所组成之一族群。22.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磊晶结构包括一第一电性夹层,该第一电性夹层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-yN;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。23.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磊晶结构包括一主动层,该主动层之材质系可选自于含氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-yN;0≦x≦1;0≦y≦1)材料双异质与量子井结构所组成之一族群。24.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磊晶结构包括一第二电性夹层,该第二电性夹层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-yN;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。25.如申请专利范围第13项所述之氮化物发光二极体之制造方法,其中上述之磊晶结构包括一第二电性接触层,该第二电性接触层系由氮化铝镓铟((AlxGa1-x)yIn1-yN;0≦x≦1;0≦y≦1)所构成。图式简单说明:第1图所绘示为习知氮化物发光二极体之结构剖面图;第2a图所绘示为本发明氮化物发光二极体之结构上视图;第2b图所绘示为第2a图之本发明氮化物发光二极体沿A-A'剖面线之结构剖面图;以及第3图所绘示为本发明氮化物发光二极体另一实施例之结构剖面图。 |
