| 主权项 |
1.一种半导体试验装置,其特征是具备有:A/D变换装置,用来将来自被测定电路之类比输出变换成为数位信号;控制信号产生装置,根据来自被设在外部或内部之数位信号产生装置之起动信号,用来产生上述之A/D变换装置之控制信号;记忆装置,在每次变换时用来记忆上述之A/D变换装置之输出信号作为测定资料;位址信号产生装置,用来产生该记忆装置之位址信号;输入资料产生装置,用来产生对上述被测定电路输入之资料;和资料写入控制装置,根据来自上述A/D变换装置之表示变换中之旗标信号,用来产生上述之位址信号产生装置之更新信号,上述之记忆装置之记忆器写入信号,和上述之输入资料产生装置之更新信号。2.一种半导体试验装置,其特征是具备有:D/A变换装置,用来产生对被测定电路之类比输入;记忆装置,在每次变换时用来记忆来自上述被测定电路之A/D变换后之输出信号作为测定资料;位址信号产生装置,用来产生该记忆装置之位址信号;输入资料产生装置,用来产生对上述D/A变换装置输入之资料;和资料写入控制装置,根据来自上述被测定电路之表示变换中之旗标信号,用来产生上述之位址信号产生装置之更新信号,上述之记忆装置之记忆器写入信号,和上述之输入资料产生装置之更新信号。3.如申请专利范围第2项之半导体试验装置,其中将用以产生起动信号之数位信号产生装置设在外部或内部。4.一种半导体试验装置,其特征是具备有:A/D变换装置,用来将来自被测定电路之类比输出变换成为数位信号;D/A变换装置,用来产生对上述被测定电路之类比输入;记忆装置,在每次变换时用来记忆上述A/D变换装置之输出信号和来自上述被测定电路之A/D变换后之输出信号;位址信号产生装置,用来产生该记忆装置之位址信号;输入资料产生装置,用来产生对上述之被测定电路和上述之D/A变换装置输入之资料;资料写入控制装置,根据来自上述A/D变换装置和上述被测定电路之表示变换中之旗标信号,用来产生上述之位址信号产生装置之更新信号,上述之记忆装置之记忆器写入信号,和上述之输入资料产生装置之更新信号;和判定装置,从上述之记忆装置读取测定资料,算出与上述之测定电路有关之特性参数,藉以进行指定之规格判定。5.如申请专利范围第4项之半导体试验装置,其中更具备有控制信号产生装置,根据来自被设在外部或内部之数位信号产生装置之起动信号,用来产生上述A/D变换装置之控制信号。6.如申请专利范围第4项之半导体试验装置,其中上述之判定装置具有可以将规格判定结果发讯到半导体控制装置之功能。7.如申请专利范围第6项之半导体试验装置,其中内藏有上述之半导体控制装置。8.如申请专利范围第4项之半导体试验装置,其中上述之与被测定电路有关之特性参数是微分直线性,积分非直线性等之上述被测定电路内藏之ADC、DAC之特性参数。9.一种半导体装置之试验方法,其特征是使用申请专利范围第1至8项之任一项之半导体试验装置,用来试验半导体装置。图式简单说明:图1是构造图,用来表示本发明之实施形态1。图2是时序图,用来说明本发明之实施形态1之动作。图3是构造图,用来表示本发明之实施形态2。图4是时序图,用来说明本发明之实施形态2之动作。图5是时序图,用来说明本发明之实施形态3之动作。图6是时序图,用来说明本发明之实施形态4之动作。图7是构造图,用来表示习知之半导体试验装置之一实例。图8是构造图,用来表示习知之半导体试验装置之另一实例。 |
