发明名称 |
Ferroelektrische Speichervorrichtungen mit erweiterten Plattenleitungen und Herstellungsverfahren dafür |
摘要 |
Eine ferroelektrische Speichervorrichtung enthält ein Mikroelektronik-Substrat und eine Vielzahl aus ferroelektrischen Kondensatoren auf dem Substrat, die als eine Vielzahl von Reihen und Spalten in jeweiligen Reihen- und Spaltenrichtungen angeordnet sind. Eine Vielzahl von parallelen Plattenleitungen liegt über den ferroelektrischen Kondensatoren und erstreckt sich entlang der Reihenrichtung, wobei eine Plattenleitung ferroelektrische Kondensatoren in zumindest zwei benachbarten Reihen kontaktiert. Die Vielzahl der Plattenleitungen kann eine Vielazhl von lokalen Plattenleitungen enthalten, und die ferroelektrische Speichervorrichtung kann ferner eine Isolationsschicht enthalten, die auf den lokalen Plattenleitungen angeordnet sind, und eine Vielzahl an Plattenleitungen, die auf der Isolationsschicht angeordnet sind, und die lokalen Plattenleitungen durch Öffnungen in der Isolationsschicht kontaktieren. Bei einigen Ausführungsformen teilen sich ferroelektrische Kondensatoren in benachbarten Reihen eine gemeinsame obere Elektrode und jeweilige lokale Plattenleitungen sind auf jeweiligen gemeinsamen oberen Elektroden angeordnet. Ferroelektronische Kondensatoren in benachbarten Reihen teilen sich einen gemeinsamen ferroelektrischen Dielektrikums-Bereich. Außerdem werden betreffende Herstellungsverfahren diskutiert.
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申请公布号 |
DE10228118(A1) |
申请公布日期 |
2003.01.09 |
申请号 |
DE20021028118 |
申请日期 |
2002.06.24 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, HYUN-HO;JUNG, DONG-JIN;KIM, KI-NAM;NAM, SANG-DON;LEE, KYU-MANN |
分类号 |
H01L27/105;G11C11/22;H01L21/8246;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/105 |
主分类号 |
H01L27/105 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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