Verfahren zum Bilden feiner Muster in Halbleiteranordnungen

摘要

Bei einem Verfahren zum Bilden eines feinen Musters einer Halbleitereinrichtung werden sequenziell eine Ätzzielschicht, welche als Feinmuster geformt werden muss, eine Antireflexschicht und ein Photoresistfilm auf einem vorbereiteten Halbleitersubstrat aufgebracht und ein Photoresistmuster gebildet, indem Photolithographie für den Photoresistfilm mit einer ArF-Belichtungsquelle ausgeführt wird. Dann werden zwei Ätzprozesse ausgeführt, um das Feinmuster zu bilden. In einem Ätzprozess werden die Antireflexschicht und ein Teil einer Fläche ohne Muster auf der Ätzzielschicht bei einer ersten Substrattemperatur mit auf Fluor basierendem Gas und Argongas geätzt, indem das Photoresistmuster als eine Ätzmaske genutzt wird. In einem anderen Ätzprozess wird ein verbleibender Teil der Fläche ohne Muster der Ätzzielschicht bei einer zweiten Substrattemperatur mit auf Fluor basierendem Gas und Argongas geätzt, welche höher als die erste Substrattemperatur ist.