发明名称 利用原子层淀积形成薄膜的方法
摘要 本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后,在单反应空间中引入含反应剂的气体,在单反应空间内,反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后,从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例,引入含反应剂气体后,在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂,以便于排除未被化学吸附的反应剂。
申请公布号 CN1389910A 申请公布日期 2003.01.08
申请号 CN02107879.3 申请日期 2002.03.26
申请人 三星电子株式会社 发明人 金营宽;朴泳旭;李承换
分类号 H01L21/8238 主分类号 H01L21/8238
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 谢丽娜;谷惠敏
主权项 1.一种利用原子层淀积形成薄膜的方法:提供具有单反应空间的反应器;将一批衬底同时装载在反应器的单反应空间内;向单反应空间中引入含反应剂的气体,在单反应空间,将反应剂的一部分化学吸附到衬底的上表面上;及从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。
地址 韩国京畿道水原市