发明名称 | 利用原子层淀积形成薄膜的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后,在单反应空间中引入含反应剂的气体,在单反应空间内,反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后,从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例,引入含反应剂气体后,在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂,以便于排除未被化学吸附的反应剂。 | ||
申请公布号 | CN1389910A | 申请公布日期 | 2003.01.08 |
申请号 | CN02107879.3 | 申请日期 | 2002.03.26 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金营宽;朴泳旭;李承换 |
分类号 | H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/8238 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
主权项 | 1.一种利用原子层淀积形成薄膜的方法:提供具有单反应空间的反应器;将一批衬底同时装载在反应器的单反应空间内;向单反应空间中引入含反应剂的气体,在单反应空间,将反应剂的一部分化学吸附到衬底的上表面上;及从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市 |