| 发明名称 |
Double gated transistor and method of fabrication |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2002317778(A1) |
申请公布日期 |
2003.01.08 |
| 申请号 |
AU20020317778 |
申请日期 |
2002.06.06 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
ANDRES BRYANT;JED RANKIN;MEIKEI IEONG;K. PAUL MULLER;DAVID M. FRIED;EDWARD J. NOWAK |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/49;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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