| 发明名称 | 半导体存储器 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器包括：浮门，控制门，源极区和漏极区，第二导电类型轻掺杂区和硅化物层。浮门经由门绝缘膜形成于第一导电类型的半导体衬底上，控制门经由绝缘膜形成于浮门上。源极区和漏极区通过在半导体表面浮门的两侧扩散第二导电类型的杂质形成。轻度掺杂的区域的表面在至少在源极区域远离浮门的位置是暴露的。上述轻掺杂区域的杂质含量低于源极区的杂质含量。硅化物层形成于轻度掺杂区域的暴露面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1098538C | 申请公布日期 | 2003.01.08 |
| 申请号 | CN98102025.9 | 申请日期 | 1998.05.28 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 中川健一郎 |
| 分类号 | H01L27/105 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器装置，包括：经由门绝缘膜(102)，在第一导电类型的半导体衬底(101)上形成的浮门(103)；经由绝缘膜(104)形成于所述的浮门上的控制门(105)；在所述的半导体衬底表面的所述浮门两侧，通过扩散具有第二导电类型的杂质而形成的源极和漏极区域(107，108)；其特征在于：形成于至少源极区域内、具第二导电类型的轻掺杂区域(107a，107c)，该掺杂区域表面暴露于远离上述浮门的位置，其掺杂量低于源极区域的掺杂量；和形成于轻掺杂区域暴露表面的硅化物层(109)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||