| 摘要 |
<p>Bei einem Massenflussensor mit einem Schichtaufbau auf der Oberseite eines Siliziumsubstrats (1) und mindestens einem, aus einer leitenden Schicht im Schichtaufbau herausstrukturierten Heizelement (8) wird die thermische Isolation zwischen dem Heizelement (8) und dem Siliziumsubstrat (1) durch einen Siliziumdioxidblock (5) erreicht, der unterhalb des Heizelementes (8) entweder im Schichtaufbau auf dem Siliziumsubstrat (1) oder in der Oberseite des Siliziumsubstrats (1) hergestellt ist. Dadurch ist der Sensor oberflächenmikromechanisch, also ohne Wafer-Rückseitenprozesse, herstellbar.</p> |
