| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un circuit intégré semiconducteur présentant une densité d'intégration, des qualités et un rendement de production élevés qu'on réalise en utilisant un bloc à grande vitesse présentant un facteur de forme du tracé supérieur ou égal à 1 et en disposant des blocs à faible vitesse ayant tous les deux un facteur de forme supérieur ou égal à 1 et un facteur de forme inférieur ou égal à 1, en utilisant la différence de la fréquence d'occurrence du câblage s'étendant en parallèle ou la diaphonie due au facteur de forme du tracé et la différence de vitesse de fonctionnement du bloc logique dans un circuit intégré semiconducteur, ceci ayant pour effet de réduire le câblage s'étendant en parallèle ou la diaphonie tout en maintenant une densité d'intégration élevée. La présente invention concerne également un procédé et un système de fabrication d'un circuit intégré semiconducteur présentant une densité d'intégration, des qualités et un rendement de production élevés dans lesquels on utilise la différence de la fréquence d'occurrence du câblage s'étendant en parallèle ou la diaphonie due à un tel facteur de forme du tracé.</p> |
