| 发明名称 |
CONTACT ANTISTATIQUE POUR LIGNE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un circuit intégré (20) sur substrat de silicium (1) comprenant au moins une ligne de polysilicium (4) et au moins un contact antistatique reliant la ligne de polysilicium au substrat de silicium. Selon l'invention, le contact antistatique (21) comprend une couche d'oxyde fin (22) entre la ligne de polysilicium et le substrat de silicium. La couche d'oxyde fin est d'une épaisseur suffisamment faible pour qu'un courant la traverse par effet tunnel lorsque la ligne de polysilicium est portée relativement au substrat à une tension (V1) supérieure ou inférieure à un seuil déterminé (Vc1, Vc2).</P> |
| 申请公布号 |
FR2826779(A1) |
申请公布日期 |
2003.01.03 |
| 申请号 |
FR20010008776 |
申请日期 |
2001.07.02 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
BOIVIN PHILIPPE;LA ROSA FRANCESCO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8247;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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