Passivation of anodic bonding regions in microelectromechanical systems

摘要

Es wird ein Passivierungsverfahren angegeben, welches die Langzeitstabilität der elektrischen Parameter von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) erhöht. Eine aus drei Schichten bestehende Schichtanordnung wird ganzflächig auf die die elektrischen Strukturen tragende Halbleiterscheibe aufgebracht und im Bereich der Drahtbondinseln strukturiert. Diese Schichtanordnung dient sowohl der Passivierung der elektrischen Schaltungen als auch der Verbindung von Halbleiterscheibe und Deckscheibe zur Herstellung von hermetisch abgeschlossenen Räumen (Kavitäten), insbesondere für Druck- und Beschleunigungssensoren durch anodisches Bonden. <IMAGE>