Grabenkondensator einer DRAM-Speicherzelle mit metallischem Collarbereich und nicht-metallischer Leitungsbrücke zum Auswahltransistor

摘要

Eine Speicherzelle weist einen Auswahltransistor und einen Grabenkondensator auf, wobei die obere Kondensatorelektrode des Grabenkondensators im Bereich eines Isolationskragens (9) einen metallischen Abschnitt aufweist und der das Speicherdielektrikum (12) kontaktierende Abschnitt der oberen Elektrode nicht-metallisch, insbesondere Poly-Silizium, geformt ist und die die obere Elektrode mit dem Auswahltransistor verbindende Leitungsbrücke (16) nicht-metallisch, insbesondere aus Poly-Silizium, geformt ist.