Method of making a DMOS transistor

摘要

Bei den bisher bekannten Verfahren zur Herstellung eines DMOS-Transistors (100) ist bei einer grabenförmigen Struktur die Dotierung der Seitenwände an die Dotierung des Bodenbereiches gekoppelt. Nach dem vorliegenden Verfahren läßt sich bei einer grabenförmigen Struktur die Dotierung der Seitenwände (40,60) unabhängig von der Dotierung des Bodenbereiches (50) einstellen. Ferner läßt sich auch die Dotierung zwischen den Seitenwänden unterschiedlich einstellen. Damit lassen sich bei den DMOS Transistoren bei niedrigen Einschaltwiderständen hohe Durchbruchspannungen erzeugen und den Flächenverbrauch insbesondere von Treiberstrukturen verringern. <IMAGE>