| 主权项 |
1.一种晶片尺寸构装的结构,至少包括:一顶面形成有复数个金属凸块的半导体晶片,其中每一该些金属凸块系形成于一I/O焊垫之上;一导线架,与该金属凸块顶端结合,以形成电气连接,同时该导线架的两端向外伸出该半导体晶片外;以及一封装本体,包围该半导体晶片及位于该半导体晶片内的该金属凸块及该导线架。2.如申请专利范围第1项所述之晶片尺寸构装的结构,其中该导线架的架构具有一接地区及双电力区。3.如申请专利范围第1项所述之晶片尺寸构装的结构,其中该导线架具有复数个导接点。4.如申请专利范围第3项所述之晶片尺寸构装的结构,其中该导接点的外形可以是多边形或圆形。5.如申请专利范围第1项所述之晶片尺寸构装的结构,其中该金属凸块的材质可以是锡铅合金或是其它金属合金。6.一种立体3D架构的晶片尺寸构装,系由复数个晶片尺寸构装排列组合而成,其特征在于:该些晶片尺寸构装具有一伸出于封装本体外的导线架,先使该些晶片尺寸构装推叠成立体3D架构,再透过一使该导线架彼此之间能相互结合固定的手段,形成一具有立体3D架构的晶片尺寸构装。7.如申请专利范围第6项所述之立体3D架构的晶片尺寸构装,其中使该导线架彼此之间能相互结合固定的手段包括有下列步骤:于该封装本体底部涂布胶合物质,以固定推叠成立体3D架构的晶片尺寸构装;以及于每一该导线架相应处涂布焊接物质,以焊接方式或其它接合方式使该导线架彼此相互结合固定。8.如申请专利范围第6项所述之立体3D架构的晶片尺寸构装,其中使该导线架彼此之间能相互结合固定的手段包括有下列步骤;直接于每一该导线架相应处涂布焊接物质,以焊接方式或其它接合方式使该导线架彼此相互结合固定。9.一种应用于晶片尺寸构装的导线架结构,用以与外面基板进行电气连接,其特征在于:该导线架结构具有一接地区及双电力区,用以便利使用者依需求而任意搭接。10.如申请专利范围第9项所述之应用于晶片尺寸构装的导线架结构,其中该导线架具有多数个导接点。11.如申请专利范围第10项所述之应用于晶片尺寸构装的导线架结构,其中该导接点的外观可以是方边形或圆形。12.一种晶片尺度构装的制作方法,至少包括下列步骤:提供一顶面形成有复数个金属凸块的半导体晶片;透过使该金属凸块之顶端与一导线架相结合的手段,使该半导体晶片与该导线架形成电气连接,且该导线架的两端伸出该半导体晶片外;以及模制含有该半导体晶片与该导线架在内之预定部份,以形成封装本体。13.如申请专利范围第12项所述之晶片尺寸构装的制作方法,其中于形成该金属凸块之前,可先利用一I/O重新分配制程将该I/O焊垫由该半导体晶片周围或该半导体晶片中央,延伸至以面矩阵排列的I/O焊垫。14.如申请专利范围第12项所述之晶片尺寸构装的制作方法,其中于模制步骤之前,更包含有一清洗该半导体晶片的步骤。15.如申请专利范围第12项所述之晶片尺寸构装的制作方法,其中更包含有一制备导线架的步骤,及将该半导体晶片装附于该导线架中,并使其相结合的步骤。16.如申请专利范围第12项所述之晶片尺寸构装的制作方法,其中使该金属凸块与该导线架相结合的手段是一焊接手段。17.如申请专利范围第12项所述之晶片尺寸构装的制作方法,其中该金属凸块的材质可以是锡铅合金或是其它焊料合金。图式简单说明:第1图,为LOC构装的剖视图;第2图,为本创作之晶片尺寸构装的结构示意图;第3图,为「第2图」之导线架结构的平面图;第4图,为本创作之晶片尺寸构装另一实施例的结构示意图;第5图,为本创作之立体3D架构晶片尺寸构装的构造示意图;以及第6图,为本创作之立体3D架构晶片尺寸构装另一实施例的构造示意图。 |
