半导体结晶之制造方法

摘要

本发明系一种半导体结晶之制造方法，系在进行Si基板1表面之前处理后，使用超高真空化学气相成长装置(UHV-CVD装置)，在Si基板1上形成SiGeC层2。将此时 SiGeC层2之成长温度设在490℃以下，藉由使用Si2H6做为Si的原料气体，使用GeH4做为Ge的原料，使用SiH3CH3做为C的原料，可形成具有良好结晶性之SiGeC层2。

主权项

1.一种半导体结晶之制造方法,系于保持有基板之容器内导入含有矽(Si)之原料气体、含有锗(Ge)之原料气体及含有碳(C)之原料气体,并藉由热分解上述原料气体,于上述基板制造含有Si原子与Ge原子及C原子之半导体结晶之方法,其特征为,以低于490℃之温度进行上述热分解。2.如申请专利范围第1项之半导体结晶之制造方法,其系藉由热CVD法进行上述半导体结晶之形成。3.如申请专利范围第1或2项之半导体结晶之制造方法,其系使用Si2H6或Si3H8做为上述半导体结晶中所包含之Si原料气体。图式简单说明:图1(a)及图1(b)系显示本发明实施型态之SiGeC层之形成步骤的剖视图。图2系显示在480-525℃为止之各温度下成长之SiGeC层的X线衍射光谱图。图3系显示C及Ge之含有率不同的各种SiGeC层之结晶性与成长温度之关连性的图示。