发明名称 非挥发性储存装置内容保密方法与架构
摘要 本发明系有关一种非挥发性储存装置内容保密方法与架构,尤指一种将储存在快闪记忆体中程式进行方块化(block based),以这些方块作为基础进行旋转(rotate),即将储存的位址捣乱(scrambling),使原始位址内之资料储存在旋转后的新位址内;读取(read)资料时,透过乱数产生器(random number generator)产生乱数的读取顺序,读取的资料包括了正确资料与一些多余(dummy)资料,再过滤(filter)出多余的读取资料、位址旋转回复(recovery)还原成原始的资料,藉由位址的捣乱将资料直接读取成为无用的资料,使非法入侵者难以窃取、修改、变更,而对快闪记忆体(flash memory)提供保护者。
申请公布号 TW515948 申请公布日期 2003.01.01
申请号 TW088122377 申请日期 1999.12.20
申请人 后健慈 发明人 后健慈
分类号 G06F12/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人 邱超伟 高雄市四维四路七号四楼E室
主权项 1.一种非挥发性储存装置内容保密方法,特别是提供快闪记忆体内存资料的保护方法,主要是将储存在快闪记忆体中程式进行方块化,以这些方块作为基础进行旋转,即将储存的位址捣乱,将原始位址内之资料再写入储存在旋转后的新位址内;读取资料时,透过乱数产生器产生乱数的读取顺序,读取的资料包括了正确资料与一些多余资料,再过滤出多余的读取资料、位址旋转回复还原成原始的资料,藉由位址的捣乱将资料直接读取成为无用且无法辨视之资料者。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性储存装置内容保密方法,其中该写入程序包括有:a.程式方块化步骤;b.旋转方块将原始资料的位址捣乱产生新位址步骤;c.原始资料贮存在新的位址;d.依据新的位址写入快闪记忆体;3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性储存装置内容保密方法,其中该步骤a系以8(bit)8(bit)为一方块作旋转基础。4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性储存装置内容保密方法,其中该读取程序包括有:a.利用乱数产生器产生一组乱数读取顺序步骤;b.依步骤a的顺序自快闪记忆体中读出并暂存于缓冲器步骤;c.将缓冲器的暂存値过滤出多余资料;d.逆旋转方块获得原始的位址及资料;5.一种非挥发性储存装置内容保密架构,主要是在微控制器单元(或DSP)与快闪记忆体间设有一记忆体资料保密晶片,用以对写入及读取快闪记忆体的资料加密,包括有:一位址捣乱器,系将方块化的程式进行旋转,将原始的位址捣乱出一组新位址供原始资料储存,并依新位址写入快闪记忆体;一乱数产生器,系产生一组随机顺序,使快闪记忆体内资料依此顺序被读出;一解码器,系将乱数顺序读取的位址资料过滤出多余的资料,并逆转程式方块获得原始的资料与位址而供微控制器单元(或DSP)执行。6.如申请专利范围第5项所述之非挥发性储存装置内容保密架构,其中该记忆体资料保密晶片更包括有一单一钥匙,系作单一的位址映射顺序,而过滤出多余的资料。7.一种非挥发性储存装置内容保密方法,特别是提供快闪记忆体内存资料的保护方法,该记忆体资料保密晶片制作一只能写一次的可程式唯读记忆体(PROM)或是较小空间之快闪记忆体,其特征在:利用一乱数产生器产生随机码并烧入可程式唯读记忆体架构出一转换表,用以控制原始位址与旋转后位址的对应关系,将原始位址内资料依随机码写出,再对随机位址旋转写入快闪记忆体。8.如申请专利范围第7项所述之非挥发性储存装置内容保密方法,其中在位址随机对调前更包括有对原始位址进行补数运算之步骤。9.如申请专利范围第7项所述之非挥发性储存装置内容保密方法,其中读取时,可利用乱数产生器在所需的资料间,随机的插入不需要的资料,电脑同样对这些插入的资料读取,形成假读取的情况,使非法入侵者将无法获知正确的位址顺序,而无从撷取正确的资料。图式简单说明:第一图系现有电脑架构示意图;第二图系现有将微控制器单元与快闪记忆体置入同一个IC之结构示意图;第三图系为本发明之系统架构示意图;第四图系为第三图之记忆体资料保密晶片之内部架构图;第五图系本发明资料旋转前后之示意图;第六图系本发明之写入动作步骤流程图;第七图系本发明之读取动作步骤流程图;第八图系本发明第二种实施例架构示意图;第九图系为第八A图之资料旋转前后之示意图。
地址 美国