| 主权项 |
1.一种用于光罩或电子部件之正工作型制造方法,该方法包含下列步骤:a)选择性传热至光罩或电子部件之一正工作型前驱物的区域,该前驱物包含一表面被涂覆以一层涂层,该涂层包含热敏组合物本身包含一种水性显影剂可溶聚合物质及一种可降低该聚合物质之水性显影剂溶解度之化合物,其中该组合物之水性显影剂溶解度不为入射紫外光所提高而是为该传热所提高;及b)于水性显影剂内显影该前驱物,俾以去除掉位于已经被传热之区域处的热敏组合物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该水性显影剂可溶聚合物质包含一选自于羟基、羧酸、胺基、醯胺及马来醯亚胺所组成之群中的官能基。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该水性显影剂可溶聚合物质系选自于由下列所组成之群中:羟苯乙烯之聚合物或共聚物、丙烯酸之聚合物或共聚物、甲基丙烯酸之聚合物或共聚物、马来醯亚胺之聚合物或共聚物、马来酐之聚合物或共聚物、羟基纤维素、羧基纤维素及酚系树脂。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该水性显影剂可溶聚合物质为酚系树脂。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该前驱物包含一个支持该表面之绝缘基质。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该表面为一导电表面,以及位于被加热区处的热敏组合物之去除系完全的。7.如申请专利范围第6项之方法,其于显影步骤b)之后包含于一蚀刻剂内来蚀刻该前驱物,俾以去除掉位在热敏组合物已经被去除之区域处的导电表面之步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该表面为半导体表面。9.如申请专利范围第8项之方法,其于显影步骤b)之后包含搀杂半导体层之暴露区之步骤。10.如申请专利范围第7项之方法,其包含于蚀刻步骤之后去除掉该余热敏组合物之剩余区域的步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该步骤包括施加剥剂液体至电子部件。12.如前述申请专利范围第1项之方法,其中辐射被传送至该前驱物,其中该涂层吸收该辐射并将之转为热。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该涂层包含可吸收辐射并将之转为热之辐射吸收性化合物。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该涂层包含一种化合物可发挥有如一该降低聚合物质之水性显影剂溶解度之化合物以及有如一该辐射吸收性化合物之功能。15.如申请专利范围第12项之方法,其中该辐射系从一雷射所传送。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该雷射发射高于600nm之辐射。17.如申请专利范围第1项之方法,其中该热系从一加热本体所传送。18.一种光罩或电子部件之正加工型前驱物,该光罩或电子部件包含一表面(非为一已经接受电晶粒化、阳极化及后阳极处理之铝表面),以及一层涂层包含一热敏组合物被涂覆于该表面上,该热敏组合物包含一水性显影剂可溶聚合物质以及一可降低该聚合物质之水性显影剂溶解度的化合物,其中该组合物之水性显影剂溶解度于加热时被增高,及该组合物之水性显影剂溶解度不为入射紫外光所增高。19.如申请专利范围第18项之正加工型前驱物,其中该表面系由铜或富含铜之合金所制成。20.如申请专利范围第18项之正加工型前驱物,其中该组合物非为亲油性。21.如申请专利范围第18项之正加工型前驱物,其中该前驱物之制法包含施加一配于一溶剂内之热敏组合物至该表面,乾燥该热敏组合物,及随后加热处理载有经乾燥妥之热敏组合物的涂覆表面。22.如申请专利范围第21项之正加工型前驱物,其中该加热处理系于40-90℃之温度范围进行至少4小时。23.一种光罩或电子部件,其系经由施用一如申请专利范围第1项之方法至如一申请专利范围第18项之正加工型前驱物来生成的。24.一种非亲油性热敏组合物,其包含一种水性显影剂可溶聚合物质以及一种可降低该聚合物质之水性显影剂溶解度的化合物,其中该热敏组合物之水性显影剂溶解度于加热时被升高,以及该组合物之水性显影剂溶解度不为入射紫外光所增高。25.一种用于光罩或电子部件之正加工型制造套件组,该套件组包含一种如申请专利范围第24项所定义之热敏组合物及该等光罩或电子部件之前驱物材料,该前驱物材料中包含一表面,该组合物系呈一适合施加至该前驱物材料之液体形式而于乾燥时于该前驱物材料之表面上提供一涂层。 |
