| 主权项 |
1.一种形成异质接合双载子电晶体的方法,包括:提供一矽基底;于该矽基底上形成一绝缘层;于该绝缘层上形成一矽层;定义该矽层;于该绝缘层上依序形成一第一氧化层与一黏着层;于该绝缘层上形成一掺杂硼多晶矽层;于该绝缘层上形成一第二氧化层;图案化该第二氧化层以暴露出该黏着层,形成一射极窗开口;去除该矽层表面的该黏着层与该第一氧化层;利用磊晶成长于该矽层表面形成一锗的矽化层,并暴露出部分该第二氧化层侧壁;于该第二氧化层侧壁与该锗的矽化层上形成一间隙壁;以及于该绝缘层上形成一掺杂磷多晶矽层,作为电晶体的射极。2.如申请专利范围第1项所述之形成异质接合双载子电晶体的方法,其中该黏着层的材质包括氮化矽。3.一种形成异质接合双载子电晶体的方法,包括:提供一矽基底;于该矽基底上形成一绝缘层;于该绝缘层上形成一矽层;于该矽层上形成一保护层;定义该保护层与该矽层;于该保护层与该矽层侧壁形成一第一间隙壁;于该绝缘层上形成一掺杂硼多晶矽层;于该掺杂硼多晶矽层表面形成一图案化氧化层,以形成一射极窗开口;以该图案化氧化层为罩幕,去除该保护层与该第一间隙壁;于该绝缘层上形成一锗的矽化层,且覆盖该矽层表面,并暴露出部分该图案化氧化层侧壁;于该图案化氧化层侧壁与该锗的矽化层表面形成一第二间隙壁;以及于该绝缘层上形成一掺杂磷多晶矽层做为电晶体的射极。4.如申请专利范围第3项所述之形成异质接合双载子电晶体的方法,其中该保护层的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第3项所述之形成异质接合双载子电晶体的方法,其中该第一间隙壁的材质包括氧化物。6.一种形成异质接合双载子电晶体的方法,包括:提供一矽基底;于该矽基底上形成一绝缘层;于该绝缘层上形成一矽层;于该矽层上形成一保护层;定义该保护层与该矽层;于该保护层与该矽层侧壁形成一第一间隙壁;于该绝缘层上形成一掺杂硼多晶矽层;于该掺杂硼多晶矽层表面形成一图案化氧化层以暴露出该保护层,形成一射极窗开口;图案化该保护层,以暴露出部分该矽层;以该图案化保护层为罩幕,对该矽层进行蚀刻,以于该矽层内形成一凹槽;以该图案化氧化层为罩幕,去除该保护层与该第一间隙壁;于该绝缘层上形成一锗的矽化层,且覆盖该凹槽表面,并暴露出部分该图案化氧化层侧壁;于该图案化氧化层侧壁与该锗的矽化层表面形成一第二间隙壁;以及于该绝缘层上形成一掺杂磷多晶矽层做为电晶体的射极。7.如申请专利范围第6项所述之形成异质接合双载子电晶体的方法,其中该保护层的材质包括氮化矽。8.如申请专利范围第6项所述之形成异质接合双载子电晶体的方法,其中该第一间隙壁的材质包括氧化物。图式简单说明:第1A图至第1B图是习知一种异质接合双载子电晶体之制作流程剖面示意图;以及第2A图至第2E图是依照本发明一较佳实施例一种形成异质接合双载子电晶体的方法流程剖面图;第3A图至第3F图是依照本发明一较佳实施例一种形成异质接合双载子电晶体的方法流程剖面图;以及第4D图至第4F图是依照依照本发明一较佳实施例另一种形成异质接合双载子电晶体的方法流程剖面图。 |
