| 主权项 |
1.一种电发光显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素包括TFT,连接至TFT的像素电极,及以像素电极作为阴极的EL元件;及相对于主动阵列型基底的相对基底,其中相对基底具有遮光薄膜,其对应至主动阵列型基底之各像素的周边部位。2.一种电发光显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素包括TFT,连接至TFT的像素电极,及以像素电极作为阴极的EL元件;及相对于主动阵列型基底的相对基底,其中在相互黏着的主动阵列型基底与相对基底间提供密闭空间,且相对基底具有遮光薄膜,其对应至主动阵列型基底之各像素的周边部位。3.一种电发光显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素包括TFT,连接至TFT的像素电极,及以像素电极作为阴极的FL元件;及相对于主动阵列型基底的相对基底,其中相对基底具有遮光薄膜,其对应至主动阵列型基底之各像素的周边部位;且多个滤色器配置于对应至主动阵列型基底之各像素的第二位置。4.一种电发光显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素包括TFT,连接至TFT的像素电极,及以像素电极作为阴极的EL元件;及相对于主动阵列型基底的相对基底,其中在相互黏着的主动阵列型基底与相对基底间提供密闭空间,相对基底具有遮光薄膜,其对应至主动阵列型基底之各像素的周边部位;且多个滤色器配置于对应至主动阵列型基底之各像素的第二位置。5.如申请专利范围第3项之电发光显示装置,其中滤色器由含乾燥剂的树脂所形成。6.如申请专利范围第4项之电发光显示装置,其中滤色器由含乾燥剂的树脂所形成。7.如申请专利范围第1项之电发光显示装置,其中遮光薄膜由含乾燥剂的树脂所形成。8.如申请专利范围第2项之电发光显示装置,其中遮光薄膜由含乾燥剂的树脂所形成。9.如申请专利范围第3项之电发光显示装置,其中遮光薄膜由含乾燥剂的树脂所形成。10.如申请专利范围第4项之电发光显示装置,其中遮光薄膜由含乾燥剂的树脂所形成。11.如申请专利范围第1项之电发光显示装置,其中EL元件包括由聚合型有机材料所制成的发光层。12.如申请专利范围第2项之电发光显示装置,其中EL元件包括由聚合型有机材料所制成的发光层。13.如申请专利范围第3项之电发光显示装置,其中EL元件包括由聚合型有机材料所制成的发光层。14.如申请专利范围第4项之电发光显示装置,其中EL元件包括由聚合型有机材料所制成的发光层。15.一种制造电发光显示装置的方法,包括步骤:形成配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素包括TFT,连接至TFT的像素电极,及以像素电极作为阴极的EL元件;及在相对基底上形成遮光薄膜;及其中将形成有遮光薄膜的相对基底接附于主动阵列型基底,使得从相对基底的法线方向观察时,相对基底上的遮光薄膜与主动阵列型基底之各像素的周边重叠。16.一种制造电发光显示装置的方法,包括步骤:形成配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素包括TFT,连接至TFT的像素电极,及以像素电极作为阴极的EL元件;及在相对基底上形成遮光薄膜及多个滤色器;及其中将形成有遮光薄膜的相对基底接附于主动阵列型基底,使得从相对基底的法线方向观察时,相对基底上的遮光薄膜与主动阵列型基底之各像素的周边重叠,且相对基底上的滤色器与主动阵列型基底之各像素重叠。17.如申请专利范围第16项之方法,其中利用含乾燥剂的树脂作为滤色器。18.如申请专利范围第15项之方法,其中在相互黏着的主动阵列型基底与相对基底间形成密闭空间。19.如申请专利范围第16项之方法,其中在相互黏着的主动阵列型基底与相对基底间形成密闭空间。20.如申请专利范围第15项之方法,其中利用含乾燥剂的树脂作为遮光薄膜。21.如申请专利范围第16项之方法,其中利用含乾燥剂的树脂作为遮光薄膜。22.如申请专利范围第15项之方法,其中利用聚合型有机材料作为EL元件的发光层。23.如申请专利范围第16项之方法,其中利用聚合型有机材料作为EL元件的发光层。24.一种电发光显示装置,包括:多个以阵列形式配置于第一基底上的像素电极;多个连接至该像素电极的开关元件;相对于该第一基底的相对基底,该相对基底具有遮光层;及配置于该第一基底与相对基底间的遮光层。25.如申请专利范围第24项的电发光显示装置,其中每一该开关元件包括薄膜电晶体。26.如申请专利范围第24项的电发光显示装置,其中该遮光层遮蔽像素电极间的间隙。27.一种电发光显示装置,包括:多个以阵列形式配置于第一基底上的像素电极;多个连接至该像素电极的开关元件;相对于该第一基底的相对基底,该相对基底具有遮光层及多个滤色器;及配置于该第一基底与相对基底间的遮光层。28.如申请专利范围第27项的电发光显示装置,其中每一该开关元件包括薄膜电晶体。29.如申请专利范围第27项的电发光显示装置,其中该遮光层遮蔽像素电极间的间隙。30.如申请专利范围第1至4项之任一项的电发光显示装置,其中电发光显示装置被使用为视频摄影机之显示部位,该视频摄影机包括本体、声音输入区、操作开关及影像接收区。31.如申请专利范围第1至4项之任一项的电发光显示装置,其中电发光显示装置被使用为头帽式显示器之显示部位,该头帽式显示器包括本体、讯号线、头带及光学系统。32.如申请专利范围第1至4项之任一项的电发光显示装置,其中电发光显示装置被使用为DVD再生装置之显示部位,该DVD再生装置包括本体、操作开关及记录媒体。33.如申请专利范围第1至4项之任一项的电发光显示装置,其中电发光显示装置被使用为可携式电脑之显示部位,该可携式电脑包括本体、影像接收区及操作开关。34.如申请专利范围第1至4项之任一项的电发光显示装置,其中电发光显示装置被使用为个人电脑之显示部位,该可携式电脑包括本体、框架及键盘。35.如申请专利范围第1至4项之任一项的电发光显示装置,其中电发光显示装置被使用为可携式电话之显示部位,该可携式电话包括本体、声音输出区、声音输入区及操作开关。36.如申请专利范围第1至4项之任一项的电发光显示装置,其中电发光显示装置被使用为汽车音响设备之显示部位,该汽车音响设备包括本体及操作开关。图式简单说明:图1说明EL显示装置的像素部位。图2说明EL显示装置的像素剖面结构。图3A说明EL显示装置的上部结构。图3B说明EL显示装置之像素部位的电路配置。图4A至4E说明EL显示装置之主动阵列型基底的制作步骤。图5A至5D说明EL显示装置之主动阵列型基底的制作步骤。图6A至6C说明EL显示装置之主动阵列型基底的制作步骤。图7显示EL显示装置的透视图。图8显示EL显示装置的电路区块图。图9为EL显示装置之像素放大图。图10为n通道型TFT207与p通道型TFT208之组合的结构图。图11A为具EL显示装置之电器的上视图。图11B为具EL显示装置之电器的剖面图。图12说明EL显示装置之像素部位的电路配置。图13说明EL显示装置之像素部位的电路配置。图14A至14F说明电子装置的特定例。图15A及15B说明电子装置的特定例。图16A及16B显示有机材料的色度座标。 |
