发明名称 平面显示器
摘要 一种平面显示器,其包括:一透明绝缘基底;一闸极线,形成于上述透明绝缘基底上;一资料线,形成于上述透明绝缘基底上,并且与上述闸极线交错设置;一薄膜电晶体,形成于上述透明绝缘基底上,包括一闸极、一通道层、一源极与一汲极,其中,上述闸极与上述闸极线电性连接,上述源极与上述资料线电性连接;一像素电极,藉由上述闸极线与资料线围绕,形成于上述透明绝缘基底上,其中,上述像素电极与上述汲极电性连接;以及一保护环,形成于上述透明绝缘基底上,围绕上述像素电极与薄膜电晶体;一复数串接的电晶体,分别电性连接于上述闸极线与保护环之间,以及电性连接于上述资料线与保护环之间。
申请公布号 TW516339 申请公布日期 2003.01.01
申请号 TW091102469 申请日期 2002.02.08
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈坤宏;叶光兆
分类号 H05F3/00 主分类号 H05F3/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼;颜锦顺 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种平面显示器,其包括:一透明绝缘基底;一闸极线,形成于上述透明绝缘基底上;一资料线,形成于上述透明绝缘基底上,并且与上述闸极线交错设置;一薄膜电晶体,形成于上述透明绝缘基底上,包括一闸极、一通道层、一源极与一汲极,其中,上述闸极与上述闸极线电性连接,上述源极与上述资料线电性连接;一像素电极,藉由上述闸极线与资料线围绕,形成于上述透明绝缘基底上,其中,上述像素电极与上述汲极电性连接;以及一保护环,形成于上述透明绝缘基底上,围绕上述像素电极与薄膜电晶体;一复数串接的电晶体,分别电性连接于上述闸极线与保护环之间,以及电性连接于上述资料线与保护环之间。2.如申请专利范围第1项所述之平面显示器,其中上述串接的电晶体包括:复数闸极岛,形成于上述透明绝缘基底上;一绝缘层,形成于上述透明绝缘基底上,并用以覆盖上述闸极岛;以及非晶态矽岛与金属岛,间隔交替地形成于绝缘层上。3.如申请专利范围第2项所述之平面显示器,其中上述金属岛与闸极岛之间部份重叠,形成寄生电容。4.如申请专利范围第1项所述之平面显示器,其中上述复数串接的电晶体系指等于或大于两个电晶体。图式简单说明:第1图系概要地显示一种习知的具有静电放电保护单元之平面显示器;第2图系概要地显示习知的静电放电保护单元之剖面结构;第3图系根据本发明之实施例,概要地显示一种具有静电放电保护单元之平面显示器;第4图系根据第3图,概要地显示上述静电放电保护单元之平面图示;第5图系沿着第4图中的I-I'线切割,概要地显示本发明之静电放电保护单元之剖面图式;第6图系根据第5图,概要地显示静电放电保护单元之等效电路;第7图系根据本发明之实施例,概要地显示串接的静电放电保护单元,其中,一电晶体受到静电放电破坏;第8图系根据第7图,概要地显示静电放电保护单元之等效电路。第9A图系根据本发明之实施例,概要地显示串接的静电放电保护单元,其中,每一串接的静电放电保护单元的串接数量不相同;第9B图系根据第9A图,概要地显示串接的静电放电保护单元,其中,部分电晶体受到静电放电破坏。
地址 新竹科学工业园区新竹市力行二路一号