| 主权项 |
1.一种用来自行修整一图案之方法,包含下列步骤:利用一基材上沈积的一第一材料形成其中包含复数个规则或不规则高密度配置的金属线路之一图案;沿着该第一材料形成的该图案之侧壁,利用一第二材料形成若干侧壁间隔物;沈积并蚀刻一第三材料,使该第三材料覆盖该等侧壁间隔物的一部分;以及蚀刻而去除该等侧壁间隔物的未覆盖部分。2.一种用来自行修整一图案之方法,包含下列步骤:在一基材上沈积的一第一材料内形成一图案;沈积由一第二材料构成的一保形层;以及蚀刻该第二材料,以便沿着由该第一材料构成的若干预定图案之侧壁而形成由该第二材料构成的若干间隔物。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该图案包含复数个线路及间隔。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该蚀刻包含各向异性蚀刻。5.如申请专利范围第3项之方法,进一步包含下列步骤:沈积一第三材料,以便填充以该第一沈积材料构成的该图案之该等空间。6.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含下列步骤:蚀刻该第三沈积后填充材料,以便露出在外部边界上的该等图案,其中该蚀刻步骤自该第一材料的各邻接线路之间部分地去除该第三沈积材料;经由蚀刻而去除该等露出的环状图案;以及剥除剩余的该第三沈积后填充材料。7.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一材料包含用来形成一心轴的二氧化矽及氮化矽的其中之一。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二材料包含一导电材料。9.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二材料包含一导电材料。10.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一材料及该间隔物图案的节距是2F,用以代表两个最小非相移的且可以微影技术产生图案的金属线路尺寸。11.如申请专利范围第2项之方法,其中一间隔物对中相邻间隔物之节距是1F,用以代表一个最小非相移的且可以微影技术产生图案的金属线路尺寸。12.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一材料包含一导电材料,且该第二材料包含一绝缘材料。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该导电材料包含多晶矽。14.如申请专利范围第8项之方法,其中该导电材料包含M、钨、氮化钛、铜、钨化钛、钽、及上述导电材料的合金中之至少一种导电材料。15.如申请专利范围第12项之方法,其中该绝缘材料包含氮化矽及二氧化矽的其中之一。16.如申请专利范围第2项之方法,其中该方法无须用到一明显的微影掩蔽层制作层级,即可修整该等间隔物的环形区域。17.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一材料及该第三材料包含一相同的材料。18.如申请专利范围第2项之方法,其中该基材包含一介质。19.如申请专利范围第2项之方法,进一步包含下列步骤:在一间隙与相邻间隔物之间沈积一保形间隙填充阻隔薄膜。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该保形间隙填充阻隔薄膜包含一化学汽相沈积(CVD)薄膜。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该CVD薄膜包含矽酸硼-磷玻璃(BPSG)。22.如申请专利范围第19项之方法,其中该间隙填充阻隔薄膜包含一介质、一光阻、一聚合物、一旋转涂布玻璃(SOG)、一化学汽相沈积(CVD)钻石、及矽酸硼-磷玻璃(BPSG)的至少其中之一。23.如申请专利范围第19项之方法,进一步包含下列步骤:以蚀刻方式各向同性地部分去除该间隙填充薄膜,其中系对间隔物材料选择性地进行该蚀刻。24.如申请专利范围第23项之方法,进一步包含下列步骤:经由一各向同性蚀刻而去除剩余的间隙填充薄膜并未掩蔽的间隔物材料,因而系沿着该图案而去除一预定露出的间隔物材料。25.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含下列步骤:可选择以对该间隔物材料进行选择性蚀刻之方式去除该第三材料及该第一材料的至少其中之一。26.如申请专利范围第2项之方法,其中该方法系针对一动态随机存取记忆体(DRAM)阵列的一位元线布线层级而产生一个具有修整功能之半节距导体。27.如申请专利范围第2项之方法,其中该图案包含一环状图案。28.如申请专利范围第2项之方法,其中该等预定图案包含线路图案。图式简单说明:图1A及1B分别示出一个一节距之传统导体(101)、以及具有部分(101A)、(101B)的一个半节距之侧壁导体;图2示出具有若干侧壁导体的阵列及需要修整的若干区域之俯视图;图3A-9示出根据本发明一较佳实施例的一方法,更具体而言:图3A-3C是形成具有若干侧壁间隔物(306)的一阵列之横断面图,其中图3A示出对每一心轴(302)之微影及蚀刻,图3B示出一导体薄膜(304)之沈积,且图3C是具有若干侧壁间隔物(306)的阵列之横断面图;图4示出一保形间隙填充阻隔薄膜(308)之沈积;图5示出一(或有的)各向异性间隙填充蚀刻;图6示出一各向同性间隙填充蚀刻;图7示出一各向同性间隔物蚀刻/剥除;图8示出一间隙填充/心轴薄膜剥除;以及图9示出具有以本发明较佳实施例的方法形成的若干侧壁间隔物的一阵列之俯视图。 |
