共聚物树脂,其制备及使用其制成的光阻剂

摘要

本发明关于一种使用于远紫外线，像KrF或ArF光阻剂之共聚物树脂，其制备方法，及包含此树脂的光阻剂。本发明的共聚物因其可将单-甲基顺式-5-原冰片烯-桥-2，3-二羧酸酯单元导入用作共光阻剂之原冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物的结构中，因此可以传统反应基聚合反应容易地制备。此树脂在193nm波长时具有高的透明性，蚀刻阻抗性增加，及解决在共聚物树脂合成过程中产生刺激性气味的问题。再者，因为此树脂组成物分子结构的原因，所以可轻易的控制，因此，此树脂可以大规模的制造。

主权项

1.一种分子量3,000-100,000的共聚物树脂,包括单-5-原冰片烯-桥-2,3-二羧酸酯单元,其由下式III所表示:[式III]其中,R是叔-丁基,氢喃基,氢喃基,或乙氧基乙基,且x:y:z的比例是(20-80):(5-40):(0.1-20%)。2.如申请专利范围第1项之共聚物树脂,其是式IV的原冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂:[式IV]其中x:y:z的比例为(20-80):(5-40):(0.1-20%)。3.如申请专利范围第1项之共聚物树脂,其是式V的原冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂:[式V]其中x:y:z的比例为(20-80):(5-40):(0.1-20%)。4.如申请专利范围第1项之共聚物树脂,其是式VI的原冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂:[式VI]其中x:y:z的比例为(20-80):(5-40):(0.1-20%)。5.如申请专利范围第1项之共聚物树脂,其是式VII的原冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂:[式VII]其中x:y:z的比例为(20-80):(5-40):(0.1-20%)。6.一种制备如申请专利范围第1项之式III共聚物树脂的方法,包括在反应基起始剂的存在下,聚合化式VIII的原冰片烯衍生物,式IX的2-羟基乙基-5-原冰片烯-2-羧酸酯,式X的顺丁烯二酸酐及式XI的单-甲基-顺式-5-原冰片烯-桥-2,3-二羧酸酯制备而得:其中R是叔-丁基,2-四氢喃基,2-四氢喃基或乙氧基乙基。7.如申请专利范围第6项之方法,其中原冰片烯衍生物是下式VIIIa的叔-丁基5-原冰片烯-2-羧酸酯:[式VIIIa]。8.如申请专利范围第6项之方法,其中原冰片烯衍生物是下式VIIIb的2-四氢喃基5-原冰片烯-2-羧酸酯:[式VIIIb]。9.如申请专利范围第6项之方法,其中原冰片烯衍生物是下式VIIIc的2-四氢喃基5-原冰片烯-2-羧酸酯:[式VIIIc]。10.如申请专利范围第6项之方法,其中原冰片烯衍生物是下式VIIId的2-乙氧基乙基5-原冰片烯-2-羧酸酯:[式VIIId]。11.一种制备如申请专利范围第6项之共聚物树脂的方法,其中该聚合化起始剂是选自包含下列化合物之族群:苯甲醯过氧化物,2,2′-偶氮双异丁,乙醯过氧化物,月桂基过氧化物,叔-丁基过乙酸酯及二-叔-丁基过氧化物。12.一种制备如申请专利范围第6项之共聚物树脂的方法,其中该聚合化是在一选自包含下列组成的溶剂或溶剂混合物存在下进行反应:环己酮,甲基乙基酮,苯,甲苯,二恶烷及二甲基甲醯胺。13.一种制备如申请专利范围第6项之共聚物树脂的方法,其中该聚合化是在温度60℃和200℃间,及在氩气或氮气气氛下进行。14.一种光阻剂组成物,包括如申请专利范围第1项之原冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂,一有机溶剂及一光酸产生剂。15.如申请专利范围第14项之光阻剂组成物,其中该光酸产生剂是三苯基三倍酸或二丁基基三倍酸。16.如申请专利范围第14项之光阻剂组成物,其中该共聚物树脂含量为10wt%和30wt%之间(依据溶剂的量而定)。17.如申请专利范围第14项之光阻剂组成物,其中该光酸产生剂的量是0.01wt%和10wt%之间(依据共聚物树脂的量而定)。18.如申请专利范围第14项之光阻剂组成物,其是用于制造半导体装置。