| 主权项 |
1.一种半导体结构,包括:一基板,其系由共价材料所形成;一模板层,其覆盖该基板,并且系以由下列所组成之群组之材料所组成:硷土金属、硷土金属矽化物、硷土金属矽酸盐及/或Zintl型相材料(Zintl-typephase material);以及一离子半导体材料层,其覆盖该模板层。2.如申请专利范围第1项之半导体结构,该半导体结构进一步包括一表面活性剂层,其覆盖该模板层,并且位于该离子半导体材料层下方。3.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该基板包含一具有向(110)方向偏移大约2度至大约6度之定向的半导体材料。4.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该基板包含第IV族半导体材料。5.如申请专利范围第4项之半导体结构,其中该基板包含矽。6.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该模板层的厚度在大约0.5至大约1单分子层范围内。7.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该模板层系由锶所组成。8.如申请专利范围第2项之半导体结构,其中该表面活性剂层系由一选自由下列所组成之群组的材料所组成:铝、铟、镓及锶铝。9.如申请专利范围第2项之半导体结构,其中该表面活性剂层的厚度在大约0.5至大约1单分子层范围内。10.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该Zintl型相材料包含SrAl2. (MgCaYb)Ga2.(Ca,Sr,Eu,Yb)In2.BaGe2As和SrSn2As2中的至少一项。11.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该离子半导体材料层包含第III-V族材料。12.如申请专利范围第11项之半导体结构,其中该离子半导体材料层包含砷化镓。13.一种制造半导体结构之方法,该方法包括:提供一基板,其系由共价材料所形成;形成一模板层,其覆盖该基板,其中该模板层系以由下列所组成之群组之材料所组成:硷土金属、硷土金属矽化物、硷土金属矽酸盐及/或Zintl型相材料(Zintl-type phase material);以及生长一离子半导体材料层,其覆盖该模板层。14.如申请专利范围第13项之方法,该方法进一步包括形成一表面活性剂层,其覆盖该模板层,并且位于该离子半导体材料层下方。15.如申请专利范围第13项之方法,该方法进一步包括可向(001)方向之大约2度至大约6度的范围内的误切该基板。16.如申请专利范围第13项之方法,其中提供一基板,其包括提供一由第IV族半导体材料所组成的基板。17.如申请专利范围第16项之方法、其中提供一由第IV族半导体材料所组成的基板,其包括提供一由矽所组成的基板。18.如申请专利范围第13项之方法,其中形成一模板层,其包括形成一模板层,其厚度在大约0.5至大约1单分子层范围内。19.如申请专利范围第13项之方法,其中该形成一模板层,其包括形成一以锶材料所制成的模板层。20.如申请专利范围第14项之方法,其中该形成一表面活性剂层,包括形成一表面活性剂层,其系由一选自由下列所组成之群组的材料所组成:铝、铟、镓及锶。21.如申请专利范围第14项之方法,其中形成一表面活性剂层,其包括形成一表面活性剂层,其厚度在大约0.5至大约1单分子层范围内。22.如申请专利范围第13项之方法,其中该形成一模板层,包括形成一模板层,其系由一选自由下列所组成之群组的Zintl型相材料所组成:SrAl2.(MgCaYb)Ga2.(Ca,Sr,Eu,Yb)In2.BaGe2As和SrSn2As2。23.如申请专利范围第13项之方法,其中该生长一离子半导体材料层,其包括生长一第III-V族材料层。24.如申请专利范围第23项之方法,其中该生长一第III-V族材料层,其包括生长一砷化镓层。图式简单说明:图1显示根据本发明一项具体实施例之装置结构的断面原理图;以及图2显示根据本发明另一项具体实施例之装置结构的断面原理图。 |
