| 发明名称 | 基体材料的亲水化处理方法 | ||
| 摘要 | 提供能够长时间维持高亲水性和保水性的基体材料的亲水化处理方法。在不大于100Pa的减压气氛下,在基体材料上形成SiO<SUB>2</SUB>膜,在其成膜后立即将上述SiO<SUB>2</SUB>膜进行水处理。该SiO<SUB>2</SUB>膜也包括:预先在上述基体材料上形成由TiO<SUB>2</SUB>膜、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜、Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>膜、在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜上层叠TiO<SUB>2</SUB>膜的叠层膜、在Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>膜上层叠TiO<SUB>2</SUB>膜的叠层膜或者通过CVD法形成的低放射率膜构成的基底层,在该基底层上形成上述SiO<SUB>2</SUB>膜的SiO<SUB>2</SUB>复合膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1388796A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN01802678.8 | 申请日期 | 2001.04.27 |
| 申请人 | 日本板硝子株式会社 | 发明人 | 北添敏昭;田中启介;村田健治 |
| 分类号 | C03C17/245;C03C17/34;C23C14/06;C23C14/58;G02B1/10;B32B9/00 | 主分类号 | C03C17/245 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;谭明胜 |
| 主权项 | 1.一种基体材料的亲水化处理方法，其特征在于：在不大于100Pa的减压气氛中，在基体材料上直接或使基底层介于中间而形成SiO2膜，在其成膜后立即将上述SiO2膜进行水处理，使SiO2膜表面选择地形成硅烷醇基(SiOH)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||