一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体设备的制造方法,该方法包括一个双重镶嵌结构(20)。此双重镶嵌结构(20)包括一个金属层(1)及位于金属层(1)之上的带有通路(3)的第一绝缘层(2)。在第一绝缘层(2)之上是一个带有互连槽(6)的第二绝缘层(5)。在通路(3)和互连槽(6)内填充金属,构成一个带顶面(10)的金属芯(9)。该方法还包括以下步骤:去掉第二绝缘层(5),在第一绝缘层(2)和金属芯(9)上覆盖一层可移除层(12),将可移除层(12)与金属芯(9)的顶面(10)对齐,在可移除层(12)上覆盖一个多孔绝缘层(13),通过多孔绝缘层(13)去除可移除层(12)形成空气隙(14)。根据本发明,第二金属层(5)用做生成金属芯(9)的牺牲层。在金属芯(9)生成以后,通过去掉第二绝缘层(5),可使金属芯(9)突出于第一绝缘层(2)的表面之上。这样,就可在金属芯(9)周围形成空气隙(14)。

主权项

1.一种半导体设备的制造方法，该方法包括一个双重镶嵌结构(20)，此双重镶嵌结构包括一个金属层(1)及位于金属层(1)之上的带有通路(3)的第一绝缘层(2)，在第一绝缘层(2)之上，带有互连槽(6)的第二绝缘层(5)，其中通路(3)和互连槽(6)中存在有顶面(10)的金属线路(9)形成的金属，其特征在于，所述方法还包括以下步骤-去除第二绝缘层(5)，-在第一绝缘层(2)和金属线路(9)上添加可移除层(12)，-将可移除层(12)与金属线路(9)的顶面(10)对齐，-在可移除层(12)上添加一个多孔绝缘层(13)，-通过多孔绝缘层(13)去除可移除层(12)来形成空气隙(14)。