| 发明名称 | 磁－光记录介质 | ||
| 摘要 | 一种至少包含第1磁层、第2磁层、第3磁层三层磁层的磁——光记录介质,其中,经光束照射而记录在第3磁层上的记录标记经第2磁层被转移到第1磁层上以便再现,而第2磁层是形成在第三磁层上的,第1磁层是形成在第2磁层上的,其中,第1磁层在其温度变到等于或高于预设温度的一个区域内具有一种不存在自发磁化的高温掩膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1388528A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN01130502.9 | 申请日期 | 2001.11.15 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 玉野井健 |
| 分类号 | G11B11/10;G11B5/66;G11B7/24 | 主分类号 | G11B11/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种至少包括第1磁层、第2磁层和第3磁层三层磁层的磁——光记录介质，在该介质中，经光束照射而记录在第3磁层上的记录标记通过第2磁层被转移到第1磁层上以便再现，而第2磁层是形成在第3磁层上的，第1磁层是形成在第2磁层上的，其中，第1磁层在其温度变到等于或高于预设温度的一个区域内具有一种不存在自发磁化的高温掩膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||