| 发明名称 | 独石瓷介电容器和它的制作方法 | ||
| 摘要 | 揭示了一种独石瓷介电容器及其制作方法。此独石瓷介电容器包含多个介电陶瓷层，多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极，每个内部电极的一端暴露在介电陶瓷层一端之外，还有与露出的内部电极电气连接的外部电极；此电容器中每个内部电极都由一种非贵重金属制成，在紧靠内部电极处形成Si氧化物层或包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层和所述内部电极的成分的复合层。此电容器具有良好的耐热冲击和耐湿负荷特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1097834C | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN97115561.5 | 申请日期 | 1997.07.25 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 坂本宪彦;佐野晴信;宫崎孝晴 |
| 分类号 | H01G4/30;H01G4/12 | 主分类号 | H01G4/30 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种独石瓷介电容器，包含：多个介电陶瓷层；多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极；以及外部电极，每个内部电极的一端延伸到与所述外部电极之一电气连接，其特征在于，每个内部电极都由贱金属制成，并在内部电极周围处部分或全部地形成有Si氧化物层。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||