| 发明名称 | 半导体金属内连线的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体金属内连线的制造方法,它包括下列步骤:提供一包含导电区域的半导体基底,该导电区域具有金属线及孔洞;于该半导体基底的表面上顺应性地形成一钛金属层;以化学气相沉积法于该钛金属层表面上顺应性地形成第一氮化钛层;以物理气相沉积法于该第一氮化钛层表面上顺应性地形成第二氮化钛层。具有确保先前所形成的第一氮化钛层不会因为其化学性质不稳定而发生氧化作用。提高元件的可靠度的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1388573A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN01116180.9 | 申请日期 | 2001.05.25 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 欧阳允亮;黄昭元 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种半导体金属内连线的制造方法，其特征在于：它包括下列步骤：(1)提供一包含导电区域的半导体基底，该导电区域具有金属线及孔洞；(2)于该半导体基底的表面上顺应性地形成一钛金属层；(3)以化学气相沉积法于该钛金属层表面上顺应性地形成第一氮化钛层；(4)以物理气相沉积法于该第一氮化钛层表面上顺应性地形成第二氮化钛层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科技园区 | ||