发明名称 磁存储器
摘要 本发明的目的在于屏蔽磁存储器防止外部磁场的干扰。磁存储器(1)包括磁存储元件的阵列(2),每个磁存储元件(3)包括至少一层磁材料(4)。磁存储元件(3)的操作基于磁阻效应。存储器(1)利用屏蔽层(4)被保护防止外部强磁场的干扰,屏蔽层(14)被分成覆盖存储元件(3)的区域(5)。因为由屏蔽层(4)的区域(5)产生的外部磁场的大的衰减,所以存储器(1)不会被外部强磁场擦除。
申请公布号 CN1388972A 申请公布日期 2003.01.01
申请号 CN01802437.8 申请日期 2001.05.16
申请人 皇家菲利浦电子有限公司 发明人 K·-M·H·伦斯森;J·J·M·鲁格罗克
分类号 G11C11/16;G11C11/15;G11C11/14 主分类号 G11C11/16
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 曾祥凌;郑建晖
主权项 1.一种包括磁存储元件阵列(2)的存储器(1),每个磁存储元件(3)包括至少一层磁材料(4),所述存储器设置有屏蔽层(14),用于屏蔽磁场,其特征在于,所述屏蔽层(14)被分成相互隔开的区域(5)。
地址 荷兰艾恩德霍芬