发明名称 高密度集成电路构装结构及其方法
摘要 本发明涉及一种构装集成电路(PackagingIntegrated Circuit)的结构及形成方法,特别是由一介电层定义外层的高密度集成电路构装结构及其方法,本发明在构装集成电路中外层的焊接垫上增长具有焊接沾附性的金属,作为第一焊接垫表面上的材质,并在外层电路的金属层表面形成一介电层,且在金属层侧壁形成一不具焊接沾附性的绝缘层,以避免构装集成电路发生短路,在本发明中,焊接凸块可直接与盲孔上的焊接垫相互连接,以将芯片固定在基板上。
申请公布号 CN1388579A 申请公布日期 2003.01.01
申请号 CN02122088.3 申请日期 2002.06.05
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 何昆耀;宫振越
分类号 H01L23/14;H01L23/50;H01L21/60 主分类号 H01L23/14
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陈肖梅;文琦
主权项 1.一种高密度集成电路构装结构,其特征在于,该结构包含:一基板,该基板的一表面包含一第一介电层及多个第一介层盲孔,且该基板内部包含一第二介电层与多个第一金属层,其中任一该第一介层盲孔的底部露出该第一金属层;多个焊接界面,该多个焊接界面位于部分该第一介电层上,其中任一该焊接界面包含一第二金属层与一具焊接沾附性(SolderWettability)的焊接垫;多个电路结构,该多个电路结构位于部分该第一介电层上,且任一该电路结构包含该第二金属层与一第三介电层,其中该第二金属层用来作为该基板的该表面的一电路,且该第三介电层用以保护该第二金属层;及一不具焊接沾附性绝缘层,位于该第二金属层的一侧表面,用以保护该第二金属层。
地址 台湾省台北县新店市中正路533号8楼