补偿器件,电路,方法和应用

摘要

本发明涉及一种半导体器件,按照载流子补偿原理制成,其中在一个半导体器件的半导体基片内加入额外的不完全电离化的掺杂材料,并且在加上反向电压后,补偿率作为时间的函数发生改变,从而使所述半导体器件的击穿电压增高。此外本发明还涉及一种电路以及一种本发明所述补偿层的掺杂方法。

主权项

1.半导体器件，按照载流子补偿原理制成，本发明的特征是，在一个半导体器件的半导体基片(1)内加入额外的不完全电离化的掺杂材料，并且在加上反向电压后，补偿率作为时间的函数发生改变，从而使所述半导体器件的击穿电压增高。