| 发明名称 | 具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形,能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法,以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中,以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有:第1信号电极(12);在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16);以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外,也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN1388990A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN01802501.3 | 申请日期 | 2001.08.21 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 名取荣治;长谷川和正;小口幸一;西川尚男;下田达也 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/105;G11C11/22 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种具有强电介质电容器的存储单元阵列、其特征在于：以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元，上述强电介质电容器包括：第1信号电极；在与该第1信号电极交叉的方向上排列的第2信号电极；以及至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其中，沿着第1信号电极或者第2信号电极以直线状配置上述强电介质层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||