| 发明名称 | 低功率MRAM存储器阵列 | ||
| 摘要 | MRAM存储器阵列(100)具有非线性字线(110)和线性位线(120)。字线(110)在存储器单元位置处(130)与位线(120)交叉,并且基本上在交叉点处与位线(120)共存。当电流通过字线(110)和位线(120)时,在共存点处字线(110)和位线(120)产生的磁场大致对齐。因此结果得到的场的磁化强度大于传统正交取向场。由于增加了字线(110)和位线(120)产生的场,可使用更小的字线和位线电流,这降低了存储器阵列(100)需要的尺寸。存储器阵列(100)还可利用具有用于产生横向磁场的磁性层(162)的存储器单元(150)。横向场与字线(110)和位线(120)产生的磁场正交取向,并且增加存储器单元(150)的转换的可重复性。横向场还减少转换存储器单元(150)所需的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1388533A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN02121618.5 | 申请日期 | 2002.05.29 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | M·巴塔查里亚 |
| 分类号 | G11C11/02;G11C5/00 | 主分类号 | G11C11/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种MRAM存储器阵列(100)，包括：存储器单元(150)阵列；多个在第一方向(x)延伸的非线性字线(110)；和多个在第二方向(y)延伸的实质线性的位线(120)，其中在多个存储器单元位置(130)处字线(110)与位线(120)交叉，并且在存储器单元位置(130)处放置存储器单元(150)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||