| 摘要 |
<p>본 발명은 종래 리쏘그래피 공정의 제약을 극복할 수 있는 탄소 나노 튜브를 이용한 나노 세선 형성 방법에 관한 것으로, 탄소 나노튜브를 이온 빔에 대한 마스크로 이용하여 수 ㎚ 내지 수십 ㎚의 선폭을 갖는 금속 세선을 제조한다. 예로서, 실리콘산화막 위에 Ti막 및 Au막을 균일하게 증착하고, Au 금속층 위에 탄소 나노튜브를 분산시킨 후 Ar이온을 표면에 수직하게 충돌시켜 탄소 나노튜브로 덮이지 않은 금속층은 식각하고, 표면에는 탄소 나노튜브로 덮인 금속 세선만을 잔류시킨 다음, 원자력 현미경을 이용하여 금속 나노 세선을 덮고 있는 탄소 나노 튜브를 제거함으로써 금속 나노세선을 형성하는 방법을 제공한다. 탄소 나노 튜브는 직경이 수 ㎚ 내지 수십 ㎚ 정도이므로, 이때 형성된 금속 세선의 폭은 탄소 나노튜브의 폭에 따라 수 ㎚ 내지 수십 ㎚ 정도가 된다.</p> |
