| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 고유전체를 사용하는 캐패시터에서 저장전극의 형태를 형성하기 위한 희생절연막의 식각공정시 식각조건을 조절하여 상기 희생절연막의 식각면에 요철을 형성한 후 금속층으로된 저장전극을 형성함으로써 단순한 공정으로 손상밀도(defect density)가 낮고 표면적이 증가된 저장전극을 형성하여 소자의 특성 및 공정수율을 증가시키고, 증가된 면적만큼 저장전극의 높이를 낮출 수 있으므로 토폴로지(topology)를 균일하게 형성하여 후속공정을 용이하게 할 수 있으며 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.</p> |
