| 摘要 |
<p>본 발명은 고집적 반도체 메모리 소자를 구성하는 캐패시터의 전극 형성 방법에 관한 것으로, 상대적으로 식각이 용이한 PSG 등의 희생산화막을 캐패시터의 하부전극과 동일한 모양으로 음각한 뒤, 장벽금속막 및 하부전극을 이룰 금속막을 화학기상증착법으로 증착하여 공간을 채우고, 플라즈마를 이용하여 금속막 및 장벽금속막을 전면식각해서 하부전극을 고립시킨 다음 희생산화막을 습식식각으로 제거함으로써 수직한 양각의 미세 캐패시터 하부전극 패턴을 형성하는데 그 특징이 있다.</p> |
