| 摘要 |
<p>강유전체 메모리 장치는 셀 트랜지스터 (24) 및 강유전체 커패시터 (25) 를 가지는 메모리 셀 (30) 들의 어레이, 강유전체 커패시터 (25) 위쪽에 SiNx 또는 SiOxNy 을 포함하도록 형성된 절연막 (22), 및 절연막 (22) 과 강유전체 커패시터 (24) 사이에 형성된 보호층 (21) 을 포함한다. 보호층 (21) 은 절연막 (22) 에 의해 유발될 수 있는 저장 및 프로그래밍 특성의 열화로부터 강유전체 커패시터 (25) 를 보호한다. 제 1 보호층 (21) 은 Ir, IrO, Ru, RuO또는 AlO을 포함한다. 강유전체 커패시터 (25) 는 절연막 (22) 에 의해 수분으로부터 보호된다.</p> |
