| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 높은 형상 정밀도를 갖는 분리산화막과, 높은 내압을 갖는 분리산화막을 간단한 공정으로 제조하는 것을 목적으로 한다. 막두께가 다른 복수의 분리산화막(40, 42)을 구비하는 반도체 장치를 제조한다. 실리콘 기판(10) 상에 질화막(14) 및 레지스트막(30)을 막형성한다. 레지스트(30)에 개구부(32, 34)를 설치한다(도 1a). 레지스트막(30)을 마스크로 하여 질화막(14)에 개구 구멍을 형성한다(도 1b). 열산화에 의해, 개구 구멍의 하부에 분리산화막(40, 42)을 형성한다(도 1c). 질화막(14)에 설치된 큰 개구 구멍(36)의 개구 치수 LW를 0.6㎛ 이상으로 설정하고, 작은 개구 구멍(38)의 개구 치수 LN을 0.6㎛ 미만의 소정값, 구체적으로는, 분리산화막(42)에 원하는 막두께를 부여하는 데에 필요한 값으로 설정한다.</p> |
