发明名称 | 具有可熔焊区和可细丝压焊区的金属再分布层 | ||
摘要 | 本发明提供一种再分布金属化方案,除现有压焊区(102)外,还组合焊块(122)和细丝压焊区(132),以强化半导体器件的连接性,尤其是倒装芯片应用中的连接性。其制作方法包括在再分布淀积步骤期间形成附加压焊区。再分布层用的金属(204、206、208)提供形成焊块用的可熔焊表面和细丝压焊用的可压焊表面。 | ||
申请公布号 | CN1387681A | 申请公布日期 | 2002.12.25 |
申请号 | CN00815449.X | 申请日期 | 2000.08.31 |
申请人 | 爱特梅尔股份有限公司 | 发明人 | K·M·兰;J·A·科瓦茨 |
分类号 | H01L23/525;H01L23/532 | 主分类号 | H01L23/525 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
主权项 | 1.一种集成电路,其特征在于包含:具有第1表面和配置在第1表面周围的第一多个细丝压焊区的半导体芯片;配置在第1表面上的金属化层,该再分布层具有多条导电再分布线迹,其中至少一些线迹具有与第1细丝压焊区电相连的第1端;形成至少一些再分布线迹图案的第2多个细丝压焊区;配置在再分布层顶上的绝缘层,该绝缘层具有沿再分布线迹穿通到第1位置的第1开口和穿通到第2细丝压焊区的第2开口;沿再分布线迹通过第1开口配置到第1位置的多个焊块;通过第2开口压焊到第2细丝压焊区的多条压焊细丝。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |