发明名称 | 经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞及其制作方法 | ||
摘要 | 一种经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞及其制作方法,尤指一种结合CMOS装置与快闪记忆胞,主要是在基底上同时制作快闪记忆胞与CMOS装置,以降低制作成本,简化制作流程,且CMOS装置并保留有可进行高电压操作及其低电压操作,不仅有效改善快闪记忆胞与CMOS装置间的操作效率,且其整体体积比各自分开生产后结合较小。 | ||
申请公布号 | CN1387260A | 申请公布日期 | 2002.12.25 |
申请号 | CN01116165.5 | 申请日期 | 2001.05.21 |
申请人 | 力旺电子股份有限公司 | 发明人 | 徐清祥;杨青松 |
分类号 | H01L27/04;H01L27/10;H01L21/82;G11C11/34 | 主分类号 | H01L27/04 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
主权项 | 1、一种经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞,其特征在于:它包括在N型基底上设置快闪记忆胞区及CMOS装置区;该快闪记忆胞区的主要结构包含有:于基底上形成深P型井,于该深P型井上形成N型井,在该N型井内适当位置处布植有一深P型布植区及一浅P型布植区,于该N型井上堆叠闸极;该CMOS装置区的主要结构包含有:于该基底上形成第一深P型井区,于该第一深P型井区上形成一第一N型井,且在该第一N型井内适当位置处布植有多数个P型布植区;于该基底上形成第二深P型井区,于该第一深P型井区上形成第二N型井,且在该第一N型井内适当位置处布植有多数个P型布植区。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |