在双重镶嵌方法中的低介电常数的阻蚀刻层

摘要

本发明提供微电子设备如集成电路设备。它们具有使用不同的低介电常数金属间电介质的通路、互连体敷金属和布线线路。有机和无机低k电介质的共同使用提供了几个方面的优点,归因于两种类型的电介质的显著不同的等离子体蚀刻特性。一种电介质用作在蚀刻另一种电介质时的阻蚀刻体,以使得不需要附加的阻蚀刻层。形成微电子设备,它具有衬底和位于衬底上的第一电介质材料的层。第二电介质材料的层处在第一电介质层上,和第一电介质材料的附加层处在第二电介质材料上。至少一个通路贯穿第一电介质材料层和第二电介质材料层,和至少一个沟槽穿过第一电介质材料的附加层而延伸到该通路。

主权项

1.微电子设备，它包含(a)衬底；(b)位于衬底上的第一电介质材料的层；(c)位于第一电介质层上的第二电介质材料的层；其中第一电介质材料和第二电介质材料具有本质上不同的耐蚀刻性质；(d)位于第二电介质材料上的第一电介质材料的附加层；(e)贯穿第一电介质材料层和第二电介质材料层的至少一个通路，和通过第一电介质材料的附加层延伸至至少一个通路的至少一个沟槽；(f)在沟槽的内壁和底面上和在通路的内壁和底面上的隔离金属的衬里；(g)与隔离金属的衬里接触的填充沟槽和通路的填充金属。