| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成栅极；在栅极上形成栅帽盖；在衬底中栅极外部形成重掺杂区；在包括栅帽盖的栅极侧面上形成第一侧壁；向下刻蚀栅极绝缘膜外的衬底至具有最高杂质浓度的那部分；及在衬底中围绕重掺杂区形成轻掺杂区。该方法可以防止热载流子注入到栅氧化膜中或侧壁中，并可减少结电流泄漏和短沟道效应的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN1097304C | 申请公布日期 | 2002.12.25 |
| 申请号 | CN97117010.X | 申请日期 | 1997.09.23 |
| 申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 孙正焕 |
| 分类号 | H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;王达佐 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成栅极；在栅极上形成栅帽盖；在栅极每侧下形成远离衬底表面的重掺杂区；在栅帽盖和栅极侧面上形成第一侧壁；刻蚀栅绝缘膜和衬底，其中衬底向下刻至重掺杂区；以及围绕每一重掺杂区形成一轻掺杂区。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||